[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710656780.9
• 申請(qǐng)日: 2017-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109390209B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周耀輝;任小兵;劉群
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成有凸起結(jié)構(gòu)；使用含氧等離子體對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理，以在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成粗糙的氧化層。該粗糙的氧化層可以使掩膜層在襯底表面的流動(dòng)速度相對(duì)減緩，在凸起結(jié)構(gòu)和襯底表面的高低落差處掩膜層的厚度之間的差異減小，進(jìn)而改善掩膜層對(duì)曝光能力的反饋的一致性，改善后續(xù)形成的源極/漏極關(guān)鍵尺寸的一致性，并且能夠增加半導(dǎo)體襯底表面和掩膜層之間的粘附性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過(guò)不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)步到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體器件的制備受到各種物理極限的限制。

半導(dǎo)體器件中的高壓功率器件在航天航空、工業(yè)控制及汽車(chē)電子領(lǐng)域被廣泛的應(yīng)用。然而，在較小線寬高壓器件制造流程中，源漏結(jié)構(gòu)工藝部分存在兩個(gè)較普遍的問(wèn)題對(duì)產(chǎn)品的良率(yield)及電性能有較負(fù)面的影響，一個(gè)問(wèn)題是，源漏部分關(guān)鍵尺寸的一致性較差，單片晶圓的片內(nèi)尺寸差異最大有50nm，變異性超過(guò)20％；另一個(gè)問(wèn)題是，在晶向?yàn)?1,0,0)的襯底上，由于源漏的高頻次大能量注入的原因，隧穿效應(yīng)經(jīng)常發(fā)生，導(dǎo)致產(chǎn)品良率低或電性穩(wěn)定性較差。

因此，鑒于上述問(wèn)題的存在，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明一方面提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成有凸起結(jié)構(gòu)；

使用含氧等離子體對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理，以在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成粗糙的氧化層。

示例性地，在形成所述氧化層之后，還包括以下步驟：對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行退火，以平滑所述半導(dǎo)體襯底的表面，并在半導(dǎo)體襯底和所述粗糙的氧化層之間形成無(wú)定形材料層。

示例性地，所述激光退火為準(zhǔn)分子激光退火。

示例性地，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述無(wú)定形材料層包括無(wú)定形硅。

示例性地，所述凸起結(jié)構(gòu)為柵極結(jié)構(gòu)。

示例性地，在形成所述粗糙的氧化層之后還包括以下步驟：

形成掩膜層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面以及所述凸起結(jié)構(gòu)。

示例性地，在形成所述掩膜層之后還包括以下步驟：

圖案化所述掩膜層，以在所述掩膜層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口露出所述半導(dǎo)體襯底中預(yù)定形成源極和漏極的區(qū)域；

以所述掩膜層為掩膜，執(zhí)行源漏離子注入，以在半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極；

去除所述掩膜層。

示例性地，所述含氧等離子體由稀有氣體和含氧氣體的混合氣體生成，其中，由所述稀有氣體產(chǎn)生的等離子體對(duì)所述半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行離子轟擊，形成粗糙表面，而由所述含氧氣體氧化所述半導(dǎo)體襯底的表面，而形成所述粗糙的氧化層。

示例性地，所述稀有氣體的流量范圍為100sccm～150sccm，所述含氧氣體的流量范圍為30sccm～70sccm，上電極射頻功率范圍為100W～200W，下電極功率范圍為30W～60W。

本發(fā)明再一方面提供一種半導(dǎo)體器件，包括：