[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710656780.9
• 申請(qǐng)日: 2017-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109390209B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周耀輝;任小兵;劉群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成有凸起結(jié)構(gòu)；

使用含氧等離子體對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行處理，以在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成粗糙的氧化層，所述粗糙的氧化層用于減緩光阻層在半導(dǎo)體襯底表面上的流動(dòng)速度；

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行退火，以平滑所述半導(dǎo)體襯底的表面，并在半導(dǎo)體襯底和所述粗糙的氧化層之間形成無(wú)定形材料層；

通過(guò)旋涂工藝形成掩膜層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的表面以及所述凸起結(jié)構(gòu)，其中，所述掩膜層包括光阻層。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火為準(zhǔn)分子激光退火。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述無(wú)定形材料層包括無(wú)定形硅。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)為柵極結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述掩膜層之后還包括以下步驟：

圖案化所述掩膜層，以在所述掩膜層中形成開(kāi)口，所述開(kāi)口露出所述半導(dǎo)體襯底中預(yù)定形成源極和漏極的區(qū)域；

以所述掩膜層為掩膜，執(zhí)行源漏離子注入，以在半導(dǎo)體襯底中形成源極和漏極；

去除所述掩膜層。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述含氧等離子體由稀有氣體和含氧氣體的混合氣體生成，其中，由所述稀有氣體產(chǎn)生的等離子體對(duì)所述半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行離子轟擊，形成粗糙表面，而由所述含氧氣體氧化所述半導(dǎo)體襯底的表面，而形成所述粗糙的氧化層。

7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述稀有氣體的流量范圍為100sccm～150sccm，所述含氧氣體的流量范圍為30sccm～70sccm，上電極射頻功率范圍為100W～200W，下電極功率范圍為30W～60W。

8.一種采用如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的制造方法制備獲得的半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成有凸起結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成有粗糙的氧化層；

形成在半導(dǎo)體襯底和所述粗糙的氧化層之間的無(wú)定形材料層。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述無(wú)定形材料層包括無(wú)定形硅。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述凸起結(jié)構(gòu)為柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中分別形成有源極和漏極。

11.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括如權(quán)利要求8至10之一所述的半導(dǎo)體器件。