[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710655346.9
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107689380A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李善熙;金歲玲;金恩賢
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018
• 代理人: 史迎雪,康泉

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體器件。更具體地，本公開涉及包括多個薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

顯示設(shè)備通常包括多個像素和用于控制多個像素的驅(qū)動電路(例如，掃描驅(qū)動電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路)。多個像素中的每一個可以包括顯示元件和用于控制顯示元件的像素驅(qū)動電路。像素驅(qū)動電路可以包括彼此連接的多個薄膜晶體管。

掃描驅(qū)動電路和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可以通過與多個像素相同的工藝形成。這樣的驅(qū)動電路可以包括彼此連接的多個薄膜晶體管。

像素驅(qū)動電路的多個薄膜晶體管根據(jù)施加到像素驅(qū)動電路的每個薄膜晶體管的控制電極、輸入電極和輸出電極的驅(qū)動時序接收彼此不同的偏置電壓。同樣，掃描驅(qū)動電路和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的多個薄膜晶體管根據(jù)施加到掃描驅(qū)動電路和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的每個薄膜晶體管的控制電極、輸入電極和輸出電極的驅(qū)動時序接收彼此不同的偏置電壓。

發(fā)明內(nèi)容

本公開提供對反向偏置應(yīng)力具有高抵抗力的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種半導(dǎo)體器件，包括基底基板、設(shè)置在基底基板上的第一薄膜晶體管、設(shè)置在基底基板上的第二薄膜晶體管以及設(shè)置在基底基板上的多個絕緣層。在這樣的實施例中，第一薄膜晶體管包括設(shè)置在基底基板上的第一輸入電極、第一輸出電極、第一控制電極和第一氧化物半導(dǎo)體圖案。在這樣的實施例中，第二薄膜晶體管包括設(shè)置在基底基板上的第二輸入電極、第二輸出電極、第二控制電極和第二氧化物半導(dǎo)體圖案。在這樣的實施例中，第一氧化物半導(dǎo)體圖案包括結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體，并且第二氧化物半導(dǎo)體圖案包括具有與第一氧化物半導(dǎo)體圖案的晶體結(jié)構(gòu)不同的晶體結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體。

在實施例中，當?shù)谝槐∧ぞw管截止時，第一控制電極可以具有比第一輸出電極的電壓電平低的電壓電平，并且在第二薄膜晶體管截止時，第二控制電極可以具有比第二輸出電極的電壓電平高的電壓電平。

在實施例中，半導(dǎo)體器件可以進一步包括連接到第一控制電極的掃描線、連接到第一輸入電極的數(shù)據(jù)線和電連接到第二輸出電極的有機發(fā)光二極管。

在實施例中，半導(dǎo)體器件可以進一步包括設(shè)置在基底基板和第一控制電極之間的遮光圖案。

在實施例中，第二氧化物半導(dǎo)體圖案可以包括非晶氧化物半導(dǎo)體。

在實施例中，第一氧化物半導(dǎo)體圖案和第二氧化物半導(dǎo)體圖案可以包括相同材料的氧化物。

在實施例中，第一氧化物半導(dǎo)體圖案可以進一步包括非晶氧化物半導(dǎo)體。

在實施例中，多個絕緣層可以包括第一中間絕緣層和第二中間絕緣層，在這樣的實施例中，第一中間絕緣層和第二中間絕緣層被設(shè)置在第一控制電極和第一氧化物半導(dǎo)體圖案之間和第二控制電極和第二氧化物半導(dǎo)體圖案之間中的一個，并且第一中間絕緣層和第二中間絕緣層中的一個被進一步設(shè)置在第一控制電極和第一氧化物半導(dǎo)體圖案之間和第二控制電極和第二氧化物半導(dǎo)體圖案之間中的另一個。

在實施例中，第一中間絕緣層和第二中間絕緣層中的每一個可以包括無機層。

在實施例中，第一中間絕緣層和第二中間絕緣層中的每一個可以進一步包括二氧化硅層。

在實施例中，第一中間絕緣層的厚度可以是第二中間絕緣層的厚度的大約10％至大約20％。

在實施例中，第一氧化物半導(dǎo)體圖案可以被設(shè)置在基底基板和第一中間絕緣層之間，第二中間絕緣層可以被設(shè)置在第一中間絕緣層上，并且第一控制電極可以被設(shè)置在第二中間絕緣層上。

在實施例中，多個絕緣層可以進一步包括下絕緣層。在這樣的實施例中，下絕緣層被設(shè)置在基底基板和第二氧化物半導(dǎo)體圖案之間，第二氧化物半導(dǎo)體圖案被設(shè)置在下絕緣層和第二中間絕緣層之間，并且第二控制電極被設(shè)置在第二中間絕緣層上。

在實施例中，第一控制電極被設(shè)置在基底基板和第一中間絕緣層之間，并且第一氧化物半導(dǎo)體圖案被設(shè)置在第一中間絕緣層上。

在實施例中，多個絕緣層可以進一步包括上絕緣層，并且上絕緣層被設(shè)置在第一氧化物半導(dǎo)體圖案上。

在實施例中，第二控制電極可以被設(shè)置在基底基板和第一中間絕緣層之間，第二中間絕緣層可以被設(shè)置在第一中間絕緣層上，并且第二氧化物半導(dǎo)體圖案可以被設(shè)置在第二中間絕緣層上。

根據(jù)實施例，在第一薄膜晶體管截止時，反向偏置電壓被施加在第一控制電極和第一輸出電極之間。在實施例中，在薄膜晶體管中發(fā)生反向偏置應(yīng)力時，第一薄膜晶體管的電壓-電流特性被偏移的現(xiàn)象可以基本上被最小化。

附圖說明

當結(jié)合附圖考慮時，參考以下詳細描述，本公開的上述和其它優(yōu)點將變得顯而易見，附圖中：