[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201710655346.9
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107689380A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 李善熙;金歲玲;金恩賢
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 史迎雪,康泉

1.一種半導體器件，包括：

基底基板；

設置在所述基底基板上的第一薄膜晶體管，其中所述第一薄膜晶體管包括第一輸入電極、第一輸出電極、第一控制電極以及包括結晶氧化物半導體的第一氧化物半導體圖案；

設置在所述基底基板上的第二薄膜晶體管，其中所述第二薄膜晶體管包括第二輸入電極、第二輸出電極、第二控制電極以及第二氧化物半導體圖案，所述第二氧化物半導體圖案包括具有與所述第一氧化物半導體圖案的晶體結構不同的晶體結構的氧化物半導體；以及

設置在所述基底基板上的多個絕緣層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

在所述第一薄膜晶體管截止時，所述第一控制電極具有比所述第一輸出電極的電壓電平低的電壓電平，

在所述第二薄膜晶體管截止時，所述第二控制電極具有比所述第二輸出電極的電壓電平高的電壓電平。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

連接到所述第一控制電極的掃描線；

連接到所述第一輸入電極的數據線；以及

電連接到所述第二輸出電極的有機發光二極管。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

設置在所述基底基板和所述第一控制電極之間的遮光圖案。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二氧化物半導體圖案包括非晶氧化物半導體。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一氧化物半導體圖案和所述第二氧化物半導體圖案包括相同材料的氧化物。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一氧化物半導體圖案進一步包括非晶氧化物半導體。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述多個絕緣層包括第一中間絕緣層和第二中間絕緣層，

所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層被設置在所述第一控制電極和所述第一氧化物半導體圖案之間以及所述第二控制電極和所述第二氧化物半導體圖案之間中的一個，并且

所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層中的一個被進一步設置在所述第一控制電極和所述第一氧化物半導體圖案之間以及所述第二控制電極和所述第二氧化物半導體圖案之間中的另一個。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層中的每一個包括無機層。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層中的每一個包括氧化硅層。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第一中間絕緣層的厚度是所述第二中間絕緣層的厚度的10％至20％。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：

所述第一氧化物半導體圖案被設置在所述基底基板和所述第一中間絕緣層之間，

所述第二中間絕緣層被設置在所述第一中間絕緣層上，并且

所述第一控制電極被設置在所述第二中間絕緣層上。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中：

所述多個絕緣層進一步包括下絕緣層，

所述下絕緣層被設置在所述基底基板和所述第二氧化物半導體圖案之間，

所述第二氧化物半導體圖案被設置在所述下絕緣層和所述第二中間絕緣層之間，并且

所述第二控制電極被設置在所述第二中間絕緣層上。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：

所述第一控制電極被設置在所述基底基板和所述第一中間絕緣層之間，并且

所述第一氧化物半導體圖案被設置在所述第一中間絕緣層上。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中：

所述多個絕緣層進一步包括上絕緣層，并且

所述上絕緣層被設置在所述第一氧化物半導體圖案上。