[發明專利]一種金屬光柵的制作方法、金屬光柵及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710652740.7
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107219723B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 齊永蓮;曲連杰;貴炳強;趙合彬;邱云
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;G02B5/30
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種金屬光柵的制作方法、金屬光柵及顯示裝置，由于在對深紫外光刻膠層進行光刻工藝時，利用了光學的泰伯效應，因此必須在金屬層的表面形成減反層，以保障進行光刻工藝時照射在深紫外光刻膠層的深紫外光的光學強度和分布不受影響。相較于現有的制作工序中將減反層設置于硬掩膜板之上且不與金屬層接觸，本發明實施例由于將減反層直接形成在金屬層之上，可以在后續采用等離子體處理工藝，在去除具有刻蝕模板圖案的減反層的同時，在金屬光柵的表面形成保護膜，即可以省去現有制作工序中單獨形成保護層的步驟，可以簡化制作工序，提高生產效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種金屬光柵的制作方法、金屬光柵及顯示裝置。

背景技術

目前，在平板顯示面板中，內置偏光片的制作方法有采用二項色性染料為偏光片的主要成分旋涂在液晶盒內部形成內置偏光片，受限材料限制的原因，其偏振度目前只能實現80％，遠不能達到顯示面板要求的99.99％的偏振度要求，故不能應用在實際產品中。

另一種內置偏光片的形成方式為采用納米壓印的方式形成如圖1所示的金屬光柵作為內置偏光片。采用納米壓印的制作方法制作周期在120nm的金屬光柵時，由于納米壓印的良率問題，尤其是在大尺寸上的問題，只能獲得3寸的樣品，不利于應用于大尺寸顯示面板。此外，納米壓印的良率比較低且工藝復雜，模板的成本很高，開發難度比較大；另外納米壓印屬于接觸式的機械制備，故對基板的平整度要求非常高。

針對納米壓印的上述缺陷，在本領域中發明了使用泰伯深紫外曝光的方法制作金屬光柵，但是其工序較為復雜，因此，如何簡化利用泰伯深紫外曝光制作金屬光柵的制作方法，是本領域亟需解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種金屬光柵的制作方法、金屬光柵及顯示裝置，用以解決現有的泰伯深紫外曝光制作金屬光柵的方法中工序較為復雜的問題。

因此，本發明實施例提供了一種金屬光柵的制作方法，包括：

在襯底基板上依次形成金屬層、減反層和深紫外光刻膠層；

采用光刻工藝對所述深紫外光刻膠層進行刻蝕，形成光柵掩膜圖案；

以所述光柵掩膜圖案作為遮擋，采用干刻工藝對所述減反層進行刻蝕，形成與所述光柵掩膜圖案相同的刻蝕模板圖案；

剝離具有所述光柵掩膜圖案的深紫外光刻膠層；

以所述刻蝕模板圖案作為遮擋，采用干刻工藝對所述金屬層進行刻蝕，形成金屬光柵；

采用等離子體處理工藝，在去除具有所述刻蝕模板圖案的減反層的同時，在所述金屬光柵的表面形成保護膜。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述制作方法中，在形成所述減反層之后，且形成所述深紫外光刻膠層之前，還包括：在所述減反層上形成硬膜板層；

在以所述光柵掩膜圖案作為遮擋，采用干刻工藝對所述減反層進行刻蝕的同時，還包括：采用干刻工藝對所述硬膜板層進行刻蝕；

在形成金屬光柵之后，且采用等離子體處理工藝之前，還包括：去除具有所述刻蝕模板圖案的硬膜板層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述制作方法中，在所述金屬層上依次形成減反層和深紫外光刻膠層，具體包括：

形成的所述深紫外光刻膠層和所述減反層之間的刻蝕選擇比不小于預設閾值。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述制作方法中，在所述金屬層上依次形成減反層和深紫外光刻膠層，具體包括：

形成的所述深紫外光刻膠層和所述減反層之間的刻蝕選擇比不小于所述深紫外光刻膠層和硬膜板層之間的刻蝕選擇比。