[發明專利]正性光刻膠組合物、過孔的形成方法、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710651692.X
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107422605B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 李偉;蘇同上;李廣耀;胡迎賓;馬睿;邵繼峰;張揚;張建業
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039;G03F7/004;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發明提供一種正性光刻膠組合物、過孔的形成方法、顯示基板及顯示裝置，涉及顯示技術領域，該正性光刻膠組合物中包括有光致異構化合物，受到紫外光照射后結構轉變為分子極性程度增加的離子結構，降低了該正性光刻膠與有機膜層間的附著力，有利于過孔形成后的剝離，提高產品的生產良率。該正性光刻膠組合物包括，主體膠材、光敏劑；光致異構化合物；所述光致異構化合物受到紫外光照射后結構轉變為分子極性程度增加的離子結構。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種正性光刻膠組合物、過孔的形成方法、顯示基板及顯示裝置。

背景技術

光刻工藝是薄膜晶體管陣列制造過程中必不可少的一道制程，起到圖案轉移的作用。在待刻蝕的潔凈薄膜上涂覆光刻膠，通過軟烘、曝光、顯影、后烘等工序，獲得設計好的掩模版圖案(即光刻膠圖案)，之后對光刻膠圖案露出的薄膜區域進行刻蝕，形成與光刻膠圖案一致的目標圖案，再剝離殘留的光刻膠圖案，以露出該目標圖案進行后續的制程。

光刻制程的實施離不開光刻膠，光刻膠的主體成分是一類含光敏性基團的聚合物，在紫外光照條件下，受光照部分的光敏基團發生一系列化學變化，導致光刻膠感光部分和未受光照部分在顯影液中的溶解性產生明顯差異，從而在顯影后形成特定的圖案。

薄膜晶體管陣列制造過程中通常要經過數道光刻制程，包括金屬膜層制程、無機絕緣層(如氧化硅SiO_x、氮化硅SiN_x)制程、有源層制程、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)層制程等。目前在氧化物型陣列基板(即Oxide背板)制作工藝中，無機鈍化層(PassivationLaye，PVX)上通常涂覆有一層有機膜層，起保護下方膜層并提供一個平坦化襯底的作用。有機膜層上具有露出下方PVX層的有機膜孔，在有機膜孔內進行過孔(即Via孔)工藝，具體包括有光刻、刻蝕、剝離工藝，從而在PVX層上形成Via孔。

然而，有機膜層通常由非極性的有機材料構成，光刻膠中的主體成分聚合物也為非極性的有機材料(如苯酚-甲醛聚合物)，在形成Via孔的過程中，光刻膠直接涂敷在極性與其相似的有機膜上，光刻膠與有機膜層之間的附著力較大，易發生Via孔刻蝕后光刻膠剝離不徹底的問題，即發生光刻膠殘留，影響Oxide背板的后續制程，降低生產良率。

發明內容

鑒于此，為解決現有技術的問題，本發明的實施例提供一種正性光刻膠組合物、過孔的形成方法、顯示基板及顯示裝置，該正性光刻膠組合物中包括有光致異構化合物，受到紫外光照射后結構轉變為分子極性程度增加的離子結構，降低了該正性光刻膠與有機膜層間的附著力，有利于過孔形成后的剝離，提高產品的生產良率。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面、本發明實施例提供了一種正性光刻膠組合物，所述正性光刻膠組合物包括，主體膠材、光敏劑；所述光刻膠組合物還包括，光致異構化合物；所述光致異構化合物受到紫外光照射后結構轉變為分子極性程度增加的離子結構。

優選的，所述光致異構化合物包括螺吡喃化合物、螺噁嗪化合物、氮丙啶化合物、聯吡啶化合物中的至少一種。

作為一種可選的方式，所述螺吡喃化合物的結構通式為，

其中，所述R₁基團包括，烷基鏈、醚鏈、丁基、戊基、己基、苯基、(CH₂CH₂O)_nCH₃中的任一種，n為整數，且1≤n≤5；所述R₂基團包括羧基或羥基。

作為另一種可選的方式，所述螺吡喃化合物的結構式為，

其中，n為整數，且4≤n≤10；所述R基團包括羧基或羥基。