[發明專利]正性光刻膠組合物、過孔的形成方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710651692.X | 申請日: | 2017-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN107422605B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 李偉;蘇同上;李廣耀;胡迎賓;馬睿;邵繼峰;張揚;張建業 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/039 | 分類號: | G03F7/039;G03F7/004;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 組合 形成 方法 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種正性光刻膠組合物,所述正性光刻膠組合物包括,主體膠材、光敏劑;其特征在于,所述光刻膠組合物還包括,光致異構化合物;所述光致異構化合物受到紫外光照射后結構轉變為分子極性程度增加的離子結構;
所述光致異構化合物包括螺吡喃化合物、氮丙啶化合物、聯吡啶化合物中的至少一種;
所述氮丙啶化合物的結構通式為,
其中,所述R基團為C2H4OH;
所述螺吡喃化合物的結構式為,
其中,n為整數,且4≤n≤10;所述R基團包括羧基或羥基;
所述聯吡啶化合物的結構通式為,
其中,所述R1基團包括氫、甲基、乙基、丙基、丁基、醚鏈中的任一種;所述R2基團包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一種;所述R3基團包括氫、甲基、乙基、丙基、丁基、醚鏈中的任一種;所述R4基團包括羧甲基、羧乙基、羧丙基中的任一種。
2.根據權利要求1所述的正性光刻膠組合物,其特征在于,所述正性光刻膠組合物還包括溶劑和添加劑;其中,
所述主體膠材占所述正性光刻膠組合物總重量的5%~30%;
所述光敏劑占所述正性光刻膠組合物總重量的2%~5%;
所述光致異構化合物占所述正性光刻膠組合物總重量的0.1%~2%;
所述添加劑占所述正性光刻膠組合物總重量的0.1%~1%;
所述溶劑占所述正性光刻膠組合物總重量的62%~92.8%。
3.根據權利要求2所述的正性光刻膠組合物,其特征在于,
所述主體膠材為酚醛樹脂;
和/或,
所述光敏劑為重氮萘醌型光敏劑;
和/或,
所述溶劑為N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸乙氧乙酯、二甲氧基乙醛中的任一種。
4.一種過孔的形成方法,其特征在于,所述形成方法包括,
在基板上依次形成鈍化層和有機膜層;所述有機膜層上具有露出所述鈍化層的區域;
形成覆蓋所述有機膜層和所述鈍化層的光刻膠層;所述光刻膠層由權利要求1至3任一項所述的正性光刻膠組合物構成,且所述有機膜層與所述正性光刻膠組合物受光照前的極性相似;
采用構圖工藝對所述光刻膠層和露出的所述鈍化層進行處理,形成貫穿鈍化層的過孔,覆蓋在所述有機膜層以及被所述有機膜層露出的所述鈍化層上的光刻膠保留部分;
對所述光刻膠保留部分進行紫外光照射,以使所述正性光刻膠組合物中的光致異構化合物的結構轉變為分子極性程度增加的離子結構;
通過剝離液去除所述光刻膠保留部分。
5.根據權利要求4所述的過孔的形成方法,其特征在于,
所述紫外光照射的波長范圍為330~380nm,光照強度為1~10mW/CM2。
6.一種過孔的形成方法,其特征在于,所述形成方法包括,
在基板上依次形成有機膜層、光刻膠層;其中,所述光刻膠層由權利要求1至3任一項所述的正性光刻膠組合物構成;所述有機膜層與所述正性光刻膠組合物受光照前的極性相似;
采用構圖工藝對所述光刻膠層和所述有機膜層進行處理,形成貫穿所述有機膜層的過孔和覆蓋在所述有機膜層除所述過孔所在區域之外的光刻膠保留部分;
對所述光刻膠保留部分進行紫外光照射,以使所述正性光刻膠組合物中的光致異構化合物的結構轉變為分子極性程度增加的離子結構;
通過剝離液去除所述光刻膠保留部分。
7.根據權利要求6所述的過孔的形成方法,其特征在于,
所述紫外光照射的波長范圍為330~380nm,光照強度為1~10mW/CM2。
8.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板上的過孔采用如權利要求4至5,或6至7任一項所述的過孔的形成方法形成。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求8所示的顯示基板。
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