[發明專利]一種單面多晶硅的制備方法

在審

• 申請號: 201710651220.4
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107331733A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 王釗;包健;金浩;張昕宇;劉洪偉;楊潔
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及晶硅太陽能電池技術領域，更具體地說，尤其涉及一種單面多晶硅的制備方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷發展，人們對生活環境的要求也越來越高，清潔能源愈發受到人們的重視，光伏發電技術作為利用太陽能資源的主流技術，已經走向市場化和商業化，為了更進一步推進光伏電池產品的應用和推廣，需要不斷提高電池效率。

TOPCon(Tunnel Oxide Passivation Contact；隧道氧化鈍化接觸)電池作為一種高效光伏電池，其沉積單晶硅的關鍵技術大多數通過管式LPCVD(低壓化學氣相沉積)設備實現，但是管式LPCVD的繞鍍問題成為制約電池提高效率的重要問題之一。

那么如何實現制備單面多晶硅，是本領域技術人員亟待解決的問題。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種單面多晶硅的制備方法，該制備方法解決了現有技術中存在繞鍍的問題，實現了制備單面多晶硅。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種單面多晶硅的制備方法，所述制備方法包括：

提供一硅襯底；

在所述硅襯底第一表面形成第一掩膜層；

在所述硅襯底第二表面形成SiO₂層；

在所述硅襯底的第一表面以及第二表面形成多晶硅層；

在所述硅襯底第二表面上的多晶硅層背離所述第二表面的一側形成第二掩膜層；

對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕處理；

去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層。

優選的，在上述制備方法中，所述硅襯底為N型硅襯底。

優選的，在上述制備方法中，所述第一掩膜層為SiON掩膜層。

優選的，在上述制備方法中，所述第一掩膜層的厚度為80nm-500nm。

優選的，在上述制備方法中，所述第二掩膜層為SiON掩膜層。

優選的，在上述制備方法中，所述第二掩膜層的厚度為80nm-500nm。

優選的，在上述制備方法中，所述SiO₂層的厚度為1nm-7nm。

優選的，在上述制備方法中，所述硅襯底第二表面上的多晶硅層的厚度為10nm-150nm。

優選的，在上述制備方法中，所述對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕處理包括：

通過NaOH對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕，直至暴露出所述第一掩膜層。

優選的，在上述制備方法中，所述去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層包括：

通過HF酸對所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層進行刻蝕處理。

通過上述描述可知，本發明提供的一種單面多晶硅的制備方法包括：提供一硅襯底；在所述硅襯底第一表面形成第一掩膜層；在所述硅襯底第二表面形成SiO₂層；在所述硅襯底的第一表面以及第二表面形成多晶硅層；在所述硅襯底第二表面上的多晶硅層背離所述第二表面的一側形成第二掩膜層；對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕處理；去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層。

由此可知，本發明首先通過對第二表面上的多晶硅層以及硅襯底第一表面進行掩膜層保護，之后再將第一表面上的多晶硅層刻蝕去除，也就是說，刻蝕掉繞鍍的多晶硅層，最后再去除第一掩膜層以及第二掩膜層，進而形成單面多晶硅。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種單面多晶硅的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發明實施例提供的一種單面多晶硅制備過程中的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的另一種單面多晶硅制備過程中的結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的又一種單面多晶硅制備過程中的結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供的又一種單面多晶硅制備過程中的結構示意圖；

圖6為本發明實施例提供的一種單面多晶硅制備完成后的結構示意圖。

具體實施方式