[發(fā)明專利]一種單面多晶硅的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710651220.4 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN107331733A | 公開（公告）日： | 2017-11-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王釗;包健;金浩;張昕宇;劉洪偉;楊潔 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單面 多晶 制備 方法 | ||
1.一種單面多晶硅的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一硅襯底；
在所述硅襯底第一表面形成第一掩膜層；
在所述硅襯底第二表面形成SiO2層；
在所述硅襯底的第一表面以及第二表面形成多晶硅層；
在所述硅襯底第二表面上的多晶硅層背離所述第二表面的一側(cè)形成第二掩膜層；
對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕處理；
去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅襯底為N型硅襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜層為SiON掩膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜層的厚度為80nm-500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二掩膜層為SiON掩膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二掩膜層的厚度為80nm-500nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiO2層的厚度為1nm-7nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅襯底第二表面上的多晶硅層的厚度為10nm-150nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕處理包括：
通過NaOH對所述硅襯底第一表面上的多晶硅層進行刻蝕，直至暴露出所述第一掩膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述去除所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層包括：
通過HF酸對所述第一掩膜層以及所述第二掩膜層進行刻蝕處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
