[發(fā)明專利]一種小型化強(qiáng)耦合天線

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710651100.4
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107785654A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱德平
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州工業(yè)園區(qū)藝達(dá)精密機(jī)械有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q9/04;H01Q15/14;H01Q15/24
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，包括

雙極化天線單元，并排等距排列形成饋電陣列，所述雙極化天線單元的中心在同一直線上；

陣列介質(zhì)板，對應(yīng)的設(shè)于一所述雙極化天線單元的上端，相鄰的所述陣列介質(zhì)板之間相互連接；

陣列反射板，設(shè)于所述饋電陣列的下端；

其中，相鄰的所述雙極化天線單元之間的具有間距(S)，該間距(S)的范圍為：300mm-360mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述雙極化天線單元包括

輻射貼片，貼附于所述陣列介質(zhì)板下表面；

兩個(gè)饋電單元，兩個(gè)所述饋電單元十字交叉設(shè)置于所述輻射貼片的下表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述饋電單元包括

諧振饋電環(huán)介質(zhì)層，設(shè)有諧振饋電縫隙；

S型饋電結(jié)構(gòu)，組裝于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層中；

同軸電纜，所述同軸電纜的內(nèi)芯連接于所述S型饋電結(jié)構(gòu)，所述同軸電纜的金屬屏蔽層固定于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層；

電環(huán)支架，所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層裝配與所述電環(huán)支架上；所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層與所述電環(huán)支架的連接處為支撐點(diǎn)；

所述電環(huán)支架為“凹”字形結(jié)構(gòu)，其中部為內(nèi)凹的連接槽，兩個(gè)所述雙極化天線單元通過連接槽十字交叉連接；

其中，S型饋電結(jié)構(gòu)通過諧振饋電縫隙對所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層耦合饋電，所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層通過支撐點(diǎn)對輻射貼片饋電，從而產(chǎn)生輻射。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述S型饋電結(jié)構(gòu)包括

S型饋電電路，其一端通過末端支節(jié)組裝于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層的一側(cè)邊，另一端通過末端支節(jié)組裝于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層的另一側(cè)邊；

其中，所述末端支節(jié)位于所述諧振饋電縫隙的上側(cè)或下側(cè)；

其中，所述S型饋電電路的本體沿所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層的層面布置；

焊盤，所述S型饋電電路的本體通過焊盤固定于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述末端支節(jié)調(diào)節(jié)式組裝于所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述諧振饋電環(huán)介質(zhì)層為聚四氟乙烯層。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述輻射貼片具有寬度(Wa)，所述寬度(Wa)的范圍為0.24λ_L～0.28λ_L，λ_L為工作頻段的最低工作頻率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述陣列介質(zhì)板與所述陣列反射板之間具有一間距(H)；該間距(H)的范圍為0.11λ_L～0.15λ_L，λ_L為工作頻段的最低工作頻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述陣列介質(zhì)板為聚四氟乙烯板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化強(qiáng)耦合天線，其特征在于，所述陣列反射板為金屬板。