[發(fā)明專利]單細(xì)胞高效捕獲、高內(nèi)涵成像和全轉(zhuǎn)錄組分析裝置和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710648869.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107389642A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙亮;陳甘雨;劉楊;張學(xué)記 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/64 | 分類號(hào): | G01N21/64;G01N33/533;G01N33/574;G01N33/50;C12M1/00;C12N5/00 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單細(xì)胞 高效 捕獲 內(nèi)涵 成像 轉(zhuǎn)錄 組分 裝置 方法 | ||
1.一種單細(xì)胞高通量捕獲的裝置,其特征在于,所述裝置用于捕獲單細(xì)胞,所述裝置包括聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片和細(xì)胞培養(yǎng)板或細(xì)胞培養(yǎng)皿基底;所述微井陣列芯片貼合于所述細(xì)胞培養(yǎng)板基底或所述細(xì)胞培養(yǎng)皿基底上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單細(xì)胞高通量捕獲的裝置,其特征在于,所述微井陣列芯片上分布有微井,所述微井的直徑為23 μm±5μm,深度為25±10 μm,任意兩個(gè)相鄰微井的圓心距為46 μm±10 μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單細(xì)胞高通量捕獲的裝置,其特征在于,所述微井陣列芯片的制作方法為:利用光刻蝕技術(shù)制作出包含微柱陣列的模具,然后將聚二甲基硅氧烷直接澆灌在所述模具上,固化后分離模具,得到所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單細(xì)胞高通量捕獲的裝置,其特征在于,所述細(xì)胞培養(yǎng)板基底或所述細(xì)胞培養(yǎng)皿基底為玻璃、硅片、金屬或高分子材料。
5.一種單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、使用膠帶粘除聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片底面的灰塵,將其切割成合適的形狀和大小后,緊貼放置于細(xì)胞培養(yǎng)板基底或細(xì)胞培養(yǎng)皿基底上,獲得單細(xì)胞高通量捕獲裝置;
步驟二、將所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片進(jìn)行浸潤處理以提高其表面親水性;
步驟三、制備細(xì)胞的懸浮溶液并注入所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片的上部,靜置或離心,將單細(xì)胞捕獲入微井中;
步驟四、用PBS溶液洗去所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片表面多余的細(xì)胞。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,若是將所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片置于所述細(xì)胞培養(yǎng)板基底上,具體過程為:使用內(nèi)徑小于或等于所述細(xì)胞培養(yǎng)板的孔板內(nèi)徑的打孔器切割出圓形的微井陣列芯片,然后用針尖刺入該圓形的微井陣列芯片的空白處,垂直將該圓形的微井陣列芯片放入細(xì)胞培養(yǎng)板的孔板底部;
若是將所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片置于所述細(xì)胞培養(yǎng)皿基底上,具體過程為:粘除所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片底面的灰塵后,用切刀切割出目標(biāo)大小的微井陣列芯片,直接用手或鑷子將切割后微井陣列芯片緊貼于細(xì)胞培養(yǎng)皿中,然后在微井陣列芯片的上表面貼合放置聚二甲基硅氧烷材質(zhì)的圍堰包圍住該微井陣列芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,將所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片進(jìn)行浸潤處理以提高其表面親水性,具體為:先后依次使用質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為75%的乙醇、純水、質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2% 的Pluronic F127 或 F108 作為浸潤劑注入到所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片表面,注入后將整個(gè)單細(xì)胞高通量捕獲裝置放置于真空泵中,以抽除微井中的氣體使液體進(jìn)入,孵育浸潤時(shí)間依次分別為10 min、10 min、30 min。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,所述步驟三中,所述細(xì)胞的懸浮溶液為人的肺癌細(xì)胞、成纖維肉瘤細(xì)胞和乳腺癌細(xì)胞中任意一種細(xì)胞的懸浮液,制備懸浮液時(shí)用移液槍反復(fù)吹打細(xì)胞溶液,以使懸浮液中細(xì)胞為單細(xì)胞的狀態(tài),所述所述細(xì)胞的懸浮溶液中,細(xì)胞濃度為106 個(gè)/ ml。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,所述步驟三中,注入細(xì)胞的懸浮溶液后,若采用靜置的方式,靜置條件為:靜置時(shí)間為30 min-40min,溫度為室溫;
若采用離心的方式,離心條件為:離心時(shí)間為5 -7min,離心溫度為4℃,轉(zhuǎn)速為1000 rpm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單細(xì)胞高通量捕獲的方法,其特征在于,步驟四中,用PBS溶液洗去所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片表面多余的細(xì)胞時(shí),不能將芯片表面液體全部吸走,要保證微井陣列芯片表面有少量液體包覆;注液時(shí)用移液槍從微井陣列芯片上部垂直滴入液滴,速度約為每秒1滴,且距離芯片上表面約2 cm;吸液注液時(shí)保證芯片水平放置,重復(fù)吸液注液約4~5次,可將所述聚二甲基硅氧烷微井陣列芯片表面多余的細(xì)胞清除。
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- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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