[發明專利]一種QLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201710646955.8
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN109326729A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;劉佳
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

本發明屬于顯示器件領域，提供了QLED器件及其制備方法。本發明提供的QLED器件，其發光層引入了表面帶官能團的碳材料層和孔隙填充有量子點的多孔硅膜層，一方面，量子點填充在多孔硅膜層的孔隙中，量子點的排布緊密程度及厚度能夠通過改變多孔硅膜層的空隙率、空隙大小及膜厚等進行輕松地調控，從而提高器件的發光均勻性和穩定性；另一方面，表面帶官能團的碳材料層的引入不僅能作為量子點排序的平臺，而且其優異的導電性能可以提高載流子的傳輸和注入，從而提高器件的發光效率。

技術領域

本發明屬于顯示器件領域，尤其涉及一種QLED器件及其制備方法。

背景技術

量子點(Quantum dot，QD)是一種準零維納米材料，類似超晶格和量子阱，其顆粒大小約為1nm-100nm，具有量子限域效應、表面效應、量子尺寸效應和量子隧道效應等性能，以及單色性好、色純度高、發光光譜窄等突出優點，是一種非常有前景的納米材料。基于量子點的發光二極管被稱為量子點發光二極管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一種新型的顯示技器件。量子點顯示的優勢在于色域覆蓋廣、色彩容易控制以及色純度高等優點，被認為是顯示技術的新星，同時也被認為是顯示技術的革命性代表。

目前，在QLED的制備技術中，最常用且最有希望實現大規模產業化的生產加工方法是溶液成膜法，特別是器件中的除電極外的量子點發光層以及各種功能層。例如，對于量子點發光層的沉積方法，目前大多數溶液相成膜工藝是將表面配體功能化的量子點溶于有機溶劑中，配置成量子點溶液或量子點墨水，接著通過旋涂或印刷方式沉積襯底或底功能層上，然后采用同樣的成膜方法在量子點發光層上沉積電子傳輸層(如ZnO)，最后蒸鍍電極，得到QLED器件。但是，量子點的顆粒尺寸與普通離子或有機小分子相比較大，并且量子點表面含有豐富的有機配體，成膜后量子點顆粒之間的連接并不緊密，膜層相對松散，同時與其下方的空穴傳輸層之間緊密度低，沉積后的量子點仍有很大機會在后續其他功能層的溶液法成膜過程中重新溶解帶走或直接沖走，導致量子點膜層不均勻，以及器件發光不均勻。即使采用難溶解量子點的溶劑，也難以避免該過程的發生，而且也因為這樣，后續功能層材料的選擇也會受到其可選溶劑的限制。

因此，現有的QLED器件存在由于量子點發光層成膜不均勻、結構松散、容易出現團聚和覆蓋不全等造成的器件發光不均勻和器件不穩定等問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種QLED器件及其制備方法，旨在解決現有的QLED器件存在由于量子點發光層成膜不均勻、結構松散、容易出現團聚和覆蓋不全等造成的器件發光不均勻和器件不穩定等問題。

本發明提供了一種QLED器件，所述器件包括依次設置的襯底、底電極、第一功能層、發光層、第二功能層以及頂電極，所述發光層包括

設置在所述第一功能層上的表面帶官能團的碳材料層；

設置在所述碳材料層上的多孔硅膜層，所述多孔硅膜層的孔隙填充有量子點。

本發明還提供了一種QLED器件的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

在襯底上依次沉積底電極和第一功能層；

在所述第一功能層上沉積表面帶官能團的碳材料層，在所述碳材料層上沉積多孔硅膜層并于所述多孔硅膜層上沉積量子點，得到發光層；或提供表面帶官能團的碳材料層，在所述碳材料層上沉積多孔硅膜層形成復合層，將所述復合層沉積于所述第一功能層上，于所述復合層的所述多孔硅膜層上沉積量子點，得到發光層；

在所述發光層上依次沉積第二功能層和頂電極。