[發明專利]一種QLED器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201710646955.8
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN109326729A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;劉佳
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

1.一種QLED器件，所述器件包括依次設置的襯底、底電極、第一功能層、發光層、第二功能層以及頂電極，其特征在于，所述發光層包括

設置在所述第一功能層上的表面帶官能團的碳材料層；

設置在所述碳材料層上的多孔硅膜層，所述多孔硅膜層的孔隙填充有量子點。

2.如權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述孔隙的直徑為4nm-200nm。

3.如權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜層的膜層厚度為5nm-200nm。

4.如權利要求1-3任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜層由硅烷偶聯劑、嵌段共聚物、強酸促進劑以及有機溶劑制成。

5.如權利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜層由硅烷偶聯劑、嵌段共聚物、強酸促進劑以及有機溶劑的質量比為1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-50):(0.5-100)。

6.如權利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述嵌段共聚物所含的嵌段包括聚乙二醇、聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚乙烯吡喏烷酮、長鏈全氟烷基、聚硅氧烷基、聚乳酸、乳酸-羥基乙酸共聚物、聚ε-己內酯、聚芐基天門冬氨酸、聚芐基谷氨酸、聚苯乙烯、聚異丙基丙烯酰胺中的至少一種。

7.如權利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述有機溶劑包括飽和烴、不飽和烴、芳香烴、醇、酮、醚、酯、以及它們的衍生物中的至少一種。

8.如權利要求1-3任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述碳材料層的材料包括石墨烯、氧化石墨烯、碳納米管、介孔碳、碳纖維、碳納米顆粒、富勒烯、碳量子點、石墨、碳氣凝膠中的至少一種。

9.如權利要求1-3任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述官能團包括碳碳雙鍵、碳碳叁鍵、鹵素原子、羥基、醚基、巰基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亞硝基、氨基、亞胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、異氰基、腙基、膦基、肟基、環氧基、偶氮基、芳香環基中的至少一種。

10.如權利要求1-3任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點包括無機半導體納米晶、無機鈣鈦礦型半導體、有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體中的至少一種。

11.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

在襯底上依次沉積底電極和第一功能層；

在所述第一功能層上沉積表面帶官能團的碳材料層，在所述碳材料層上沉積多孔硅膜層并于所述多孔硅膜層上沉積量子點，得到發光層；或提供表面帶官能團的碳材料層，在所述碳材料層上沉積多孔硅膜層形成復合層，將所述復合層沉積于所述第一功能層上，于所述復合層的所述多孔硅膜層上沉積量子點，得到發光層；

在所述發光層上依次沉積第二功能層和頂電極。

12.如權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述多孔硅膜層的制備步驟包括：

按預設比例提供硅烷偶聯劑、嵌段共聚物、強酸促進劑以及有機溶劑；

將所述硅烷偶聯劑、所述嵌段共聚物、所述強酸促進劑以及所述有機溶劑混合，形成混合溶液；

將所述混合溶液沉積在所述碳材料層上并加熱固化。

13.如權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑、所述嵌段共聚物、所述強酸促進劑以及所述有機溶劑的混合質量比為1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-50):(0.5-100)。

14.如權利要求12或13所述的制備方法，其特征在于，所述加熱固化的溫度為60℃-500℃。