[發明專利]量子點復合發光層的制備方法、QLED器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710646954.3
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN109326728B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;劉佳
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

本發明屬于顯示器件領域，提供了量子點復合發光層的制備方法、QLED器件及其制備方法。本發明提供的量子點復合發光層的制備方法，通過將軟模板劑與量子點在溶劑中混合均勻后形成均一溶液，將該溶液沉積在碳材料層的表面上形成量子點薄膜，再將該量子點薄膜中的軟模板劑除去，得到量子點復合發光層。在此過程中，量子點均勻分布在量子點薄膜中，量子點的排布緊密程度及厚度能夠通過改變軟模板劑的添加量、軟模板劑的種類進行輕松地調控，從而提高器件的發光均勻性和穩定性；同時，碳材料層的引入不僅能作為量子點排序的平臺，對量子點具有錨定作用，而且其優異的導電性能可以提高載流子的傳輸和注入，從而提高器件的發光效率；此外，該方法工藝簡單，成本低，可實現大規模生產。

技術領域

本發明屬于顯示器件領域，尤其涉及量子點復合發光層的制備方法、QLED器件及其制備方法。

背景技術

量子點(Quantum dot，QD)是一種準零維納米材料，類似超晶格和量子阱，其顆粒大小約為1nm-100nm，具有量子限域效應、表面效應、量子尺寸效應和量子隧道效應等性能，以及單色性好、色純度高、發光光譜窄等突出優點，是一種非常有前景的納米材料。基于量子點的發光二極管被稱為量子點發光二極管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一種新型的顯示技器件。量子點顯示的優勢在于色域覆蓋廣、色彩容易控制以及色純度高等優點，被認為是顯示技術的新星，同時也被認為是顯示技術的革命性代表。

目前，在QLED的制備技術中，最常用且最有希望實現大規模產業化的生產加工方法是溶液成膜法，特別是器件中的除電極外的量子點發光層以及各種功能層。例如，對于量子點發光層的沉積方法，目前大多數溶液相成膜工藝是將表面配體功能化的量子點溶于有機溶劑中，配置成量子點溶液或量子點墨水，接著通過旋涂或印刷方式沉積襯底或底功能層上，然后采用同樣的成膜方法在量子點發光層上沉積電子傳輸層(如ZnO)，最后蒸鍍電極，得到QLED器件。但是，量子點的顆粒尺寸與普通離子或有機小分子相比較大，并且量子點表面含有豐富的有機配體，成膜后量子點顆粒之間的連接并不緊密，膜層相對松散，同時與其下方的空穴傳輸層之間緊密度低，沉積后的量子點仍有很大機會在后續其他功能層的溶液法成膜過程中重新溶解帶走或直接沖走，導致量子點膜層不均勻，以及器件發光不均勻。即使采用難溶解量子點的溶劑，也難以避免該過程的發生，而且也因為這樣，后續功能層材料的選擇也會受到其可選溶劑的限制。

因此，現有的量子點發光層存在成膜不均勻、結構松散、容易出現團聚和覆蓋不全等造成的發光層發光不均勻、不穩定等問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量子點復合發光層的制備方法、QLED器件及其制備方法，旨在解決現有的量子點發光層成膜不均勻、結構松散、容易出現團聚和覆蓋不全等造成的發光層發光不均勻、不穩定等問題。

本發明提供了一種量子點復合發光層的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

將軟模板劑與量子點加入到溶劑中，混合均勻后形成均一溶液；

在基板上沉積表面帶官能團的碳材料層，將所述均一溶液沉積在所述碳材料層上形成量子點薄膜，去除所述量子點薄膜中的所述軟模板劑，形成量子點復合發光層。

本發明提供了一種QLED器件的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

將軟模板劑與量子點加入到溶劑中，混合均勻后形成均一溶液；

在襯底上依次沉積底電極和第一功能層；

在所述第一功能層上沉積表面帶官能團的碳材料層，將所述均一溶液沉積在所述碳材料層上形成量子點薄膜，去除所述量子點薄膜中的所述軟模板劑，形成量子點復合發光層；

在所述量子點復合發光層上依次沉積第二功能層和頂電極。

本發明還提供了一種QLED器件，所述QLED器件由如上所述的制備方法制備獲得。