[發明專利]量子點復合發光層的制備方法、QLED器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710646954.3
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN109326728B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;劉佳
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種量子點復合發光層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

將軟模板劑與量子點加入到溶劑中，混合均勻后形成均一溶液；

在基板上沉積表面帶官能團的碳材料層，將所述均一溶液沉積在所述碳材料層上形成量子點薄膜，去除所述量子點薄膜中的所述軟模板劑，形成量子點復合發光層；

其中，所述軟模板劑為乙氧基丙氧基形成的兩親性三嵌段聚合物，包括聚環氧乙烷-聚環氧丙烷-聚環氧乙烷三嵌段共聚物、聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯嵌段共聚物中的至少一種。

2.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

將軟模板劑與量子點加入到溶劑中，混合均勻后形成均一溶液；

在襯底上依次沉積底電極和第一功能層；

在所述第一功能層上沉積表面帶官能團的碳材料層，將所述均一溶液沉積在所述碳材料層上形成量子點薄膜，去除所述量子點薄膜中的所述軟模板劑，形成量子點復合發光層；

在所述量子點復合發光層上依次沉積第二功能層和頂電極；

其中，所述軟模板劑為乙氧基丙氧基形成的兩親性三嵌段聚合物，包括聚環氧乙烷-聚環氧丙烷-聚環氧乙烷三嵌段共聚物、聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯嵌段共聚物中的至少一種。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述軟模板劑與所述量子點的質量比為1:(0.02-20)。

4.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述碳材料層的材料包括石墨烯、氧化石墨烯、碳納米管、介孔碳、碳纖維、碳納米顆粒、富勒烯、碳量子點、石墨、碳氣凝膠中的至少一種。

5.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述官能團包括碳碳雙鍵、碳碳叁鍵、鹵素原子、羥基、醚基、巰基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亞硝基、氨基、亞胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、異氰基、腙基、膦基、肟基、環氧基、偶氮基、芳香環基中的至少一種。

6.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述量子點包括無機半導體納米晶、無機鈣鈦礦型半導體、有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體中的至少一種。

7.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述溶劑包括飽和烴、不飽和烴、芳香烴、醇、酮、醚、酯、以及它們的衍生物中的至少一種。

8.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，去除所述量子點薄膜中的所述軟模板劑的方式為熱處理，所述熱處理的溫度為60℃-180℃，所述熱處理的時間為15min-120min。

9.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述量子點復合發光層的厚度為5nm-200nm。

10.如權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，

所述在襯底上依次沉積底電極和第一功能層的步驟包括：

在所述襯底上沉積陽極；

在所述陽極上沉積至少一層空穴注入層；

在所述空穴注入層上沉積至少一層空穴傳輸層；

所述在所述量子點復合發光層上依次沉積第二功能層和頂電極的步驟包括：

在所述量子點復合發光層上沉積電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上沉積陰極；或者

所述在襯底上依次沉積底電極和第一功能層的步驟包括：

在所述襯底上沉積陰極；

在所述陰極上沉積電子傳輸層；

所述在所述量子點復合發光層上依次沉積第二功能層和頂電極的步驟包括：

在所述量子點復合發光層上沉積至少一層空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上沉積至少一層空穴注入層；

在所述空穴注入層上沉積陽極。

11.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件由如權利要求2-10任一項所述的制備方法制備獲得。