[發明專利]像素電路、其制造方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710646875.2 | 申請日: | 2017-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109326624B | 公開(公告)日: | 2021-12-24 |
| 發明(設計)人: | 宋振;王國英 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 電路 制造 方法 顯示裝置 | ||
一種像素電路、其制造方法及顯示裝置,該像素電路包括基板以及設置于所述基板上的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管為頂柵結構,所述第二薄膜晶體管為底柵結構,所述第一薄膜晶體管的第一極和所述第二薄膜晶體管的柵極彼此電性連接,且同層設置于所述基板上。
技術領域
本發明的實施例涉及一種像素電路、其制造方法以及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器具有主動發光、對比度高、響應速度快、輕薄等諸多優點,成為主要的新一代顯示器之一。其工作原理是通過像素電路向陽極和陰極施加適當的電壓,而使得位于陽極和陰極之間的有機發光層發光,從而顯示圖像。
薄膜晶體管(Thin-film Transistor,TFT)是像素電路中重要的器件,器件的結構及制作工藝都極大地影響著薄膜晶體管的性能。
發明內容
一方面,本發明的實施例提供一種像素電路,包括基板以及設置于所述基板上的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管為頂柵結構,所述第二薄膜晶體管為底柵結構,所述第一薄膜晶體管的第一極和所述第二薄膜晶體管的柵極彼此電性連接,且同層設置于所述基板上。
另一方面,本發明的實施例還提供一種上述像素電路的制造方法,包括:提供基板;在所述基板上形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管為頂柵結構,所述第二薄膜晶體管為底柵結構,通過在所述基板上形成第一金屬層并對所述第一金屬層圖案化形成彼此電性連接且同層設置的所述第一薄膜晶體管的第一極及所述第二薄膜晶體管的柵極。
再一方面,本發明的實施例還提供一種顯示裝置,包括如上所述的像素電路。
本發明的實施例提供一種像素電路、其制造方法以及應用該像素電路的有機發光二極管顯示裝置,該像素電路對薄膜晶體管的結構進行了設計,有效提高薄膜晶體管的開關速度、驅動電流及電學穩定性,從而提高有機發光二極管顯示裝置的顯示性能,同時,該像素電路的制造方法易于實現,工藝成本較低。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例,而非對本發明的限制。
圖1A是一種2T1C像素電路的示意圖;圖1B是另一種2T1C像素電路的示意圖。
圖2是根據本發明第一實施例的像素電路的剖面結構示意圖。
圖3是根據本發明第一實施例的像素電路的等效電路圖。
圖4是根據本發明第一實施例的變更實施例的剖面結構示意圖。
圖5A、圖5B、圖6-圖8、圖9A和圖9B是根據本發明實施例的像素電路的陣列基板的示例性制造方法的各步驟的剖面示意圖。
圖10是根據本發明第三實施例的有機發光二極管顯示裝置的示意圖。
具體實施方式
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明實施例的附圖,對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于所描述的本發明的實施例,本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





