[發明專利]成膜裝置、成膜方法以及存儲介質

有效

• 申請號: 201710646572.0
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN107686984B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 加藤壽
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明涉及成膜裝置、成膜方法以及存儲介質，在對半導體晶圓例如交替地供給原料氣體和反應氣體并將反應生成物依次層疊來進行成膜處理時提高生產率的技術。在處理容器(5)內的旋轉臺(1)上沿周向等間隔地配置能夠進行自轉的載置臺(2)。利用沿周向等間隔地設置的分離部(4)將旋轉臺的上方區域劃分為四個處理區域(S1)～(S4)，向隔一個區域配置的處理區域(S1)、(S3)供給原料氣體。另外，向處理區域(S2)、(S4)供給反應氣體并且產生等離子體。將晶圓(W)載置于各載置臺，使旋轉臺間歇性地進行旋轉以使晶圓在各處理區域中依次停止，并且在晶圓位于各處理區域時使載置臺進行自轉來對各晶圓同時進行所謂的ALD處理。

技術領域

本發明涉及對基板交替地供給作為處理氣體的第一氣體和第二氣體來進行成膜處理的技術領域。

背景技術

作為對半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)例如進行氮化硅膜等薄膜的成膜的方法之一，已知一種向晶圓的表面依次供給薄膜的原料氣體及與該原料氣體反應的反應氣體并將反應生成物進行層疊的所謂ALD(Atomic Layer Deposi tion：原子層沉積)法。作為使用該ALD法進行成膜處理的成膜裝置，例如能夠列舉如專利文獻1所記載那樣的結構，即在真空容器內設置用于使多片晶圓沿周向排列并進行公轉的旋轉臺，并且以與該旋轉臺相向的方式設置有多個氣體供給噴嘴。在該裝置中，在分別被供給處理氣體的處理區域之間設置有被供給分離氣體的分離區域，以避免處理氣體之間互相混合。另外，使用等離子體將反應氣體活化的區域和使用等離子體將薄膜改性的區域沿周向分離地設置。

上述成膜裝置是在旋轉臺上載置多片基板來進行處理的所謂半間歇方式，具有面內均勻性良好且能夠實現生產能力的提高的優點，但業界期望這種方式的裝置進一步提高生產率。

在專利文獻2中記載了一種載置四片半導體目標并用分隔壁將能夠旋轉的臺的上方區域分離為四個區域的裝置，且記載有以下內容“對于ALD等自飽和反應也是有效的，”但運用方法不明確，并未暗示本發明。

專利文獻1：日本特開2013-161874號公報

專利文獻2：日本特開2007-247066號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明是在這種情況下完成的，其目的在于提供一種在對基板交替地供給第一氣體和第二氣體來進行成膜處理時提高生產率的技術。

用于解決問題的方案

本發明是在形成真空環境的處理容器內進行多次向基板交替地供給作為處理氣體的第一氣體和第二氣體的循環，從而在基板上形成薄膜，該成膜裝置的特征在于，具備：

n個第一處理區域，所述n個第一處理區域沿著所述處理容器的周向隔開間隔地設置，各所述第一處理區域用于供給第一氣體來對基板進行處理，其中，n為2以上的整數；

n個第二處理區域，各所述第二處理區域沿著所述周向設置在第一處理區域之間，用于供給第二氣體來對基板進行處理；

分離部，其用于將所述第一處理區域與第二處理區域之間分離；

載置部，其構成為能夠沿所述周向進行公轉，并且沿所述周向配置多個所述載置部，各載置部用于載置基板；以及

控制部，其使所述載置部間歇性地進行公轉，使得在停止公轉的狀態下，所述基板交替地位于所述第一處理區域和所述第二處理區域，

其中，所述載置部被配制成，在所述載置部的公轉停止時，位于n個第一處理區域和n個第二處理區域的各處理區域中的基板的片數相同。

其它發明是在形成真空環境的處理容器內進行多次向基板交替地供給作為處理氣體的第一氣體和第二氣體的循環，從而在基板上形成薄膜，