[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置以及數(shù)據(jù)寫入方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710644944.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108573732B | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 清水直樹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/34 | 分類號(hào): | G11C16/34;G06F11/10 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 劉靜;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 裝置 以及 數(shù)據(jù) 寫入 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
具備:
存儲(chǔ)器單元陣列,其包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元;
ECC電路,其包括編碼器和譯碼器,所述編碼器在向所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元寫入從外部輸入的寫入數(shù)據(jù)的情況下生成糾錯(cuò)碼,所述譯碼器在從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出數(shù)據(jù)的情況下基于所述糾錯(cuò)碼進(jìn)行從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出的所述數(shù)據(jù)的糾正處理,所述ECC電路是錯(cuò)誤檢查和糾正電路;
頁緩沖器,其能夠存儲(chǔ)所述寫入數(shù)據(jù)、通過所述糾正處理糾正后的糾正數(shù)據(jù)以及已在所述糾正處理中使用的所述糾錯(cuò)碼;以及
多路復(fù)用器,其第1輸入端子連接于所述編碼器,第2輸入端子連接于所述頁緩沖器,輸出端子連接于所述存儲(chǔ)器單元陣列,在向所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元寫入所述寫入數(shù)據(jù)的情況下第1輸入端子被選擇,在向所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元寫入所述糾正數(shù)據(jù)的情況下第2輸入端子被選擇,
寫入工作包括第1工作、第2工作和第3工作,所述第1工作和所述第2工作被連續(xù)地執(zhí)行,所述第1工作是從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出所述數(shù)據(jù)的工作,所述第2工作是向所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元寫入所述糾正數(shù)據(jù)以及已在所述糾正處理中使用的所述糾錯(cuò)碼的工作,所述第3工作是向所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元寫入所述寫入數(shù)據(jù)以及基于所述寫入數(shù)據(jù)生成的糾錯(cuò)碼的工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
讀出工作包括所述第1工作和所述第2工作,所述第1工作和所述第2工作被連續(xù)地執(zhí)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第1工作包括進(jìn)行從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出的所述數(shù)據(jù)的所述糾正處理的工作、和向所述頁緩沖器保存所述糾正數(shù)據(jù)以及已在所述糾正處理中使用的所述糾錯(cuò)碼的工作。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第1工作以及所述第2工作針對(duì)所述存儲(chǔ)器單元陣列的相同地址來進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第2工作在已在所述第1工作中通過所述糾正處理對(duì)從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出的所述數(shù)據(jù)進(jìn)行了糾正的情況下進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第1工作包括進(jìn)行從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出的所述數(shù)據(jù)的所述糾正處理的工作、和向所述頁緩沖器保存所述糾正數(shù)據(jù)以及已在所述糾正處理中使用的所述糾錯(cuò)碼的工作。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第1工作、所述第2工作以及所述第3工作針對(duì)所述存儲(chǔ)器單元陣列的相同地址來進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述第1輸入端子經(jīng)由所述編碼器連接于所述頁緩沖器,所述第2輸入端子不經(jīng)由所述編碼器地連接于所述頁緩沖器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還具備信號(hào)生成電路,該信號(hào)生成電路根據(jù)所述寫入數(shù)據(jù)的寫入以及所述糾正數(shù)據(jù)的寫入來生成用于控制多路復(fù)用器的控制信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
還具備:
選擇電路,其選擇與所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元連接的多條位線以及多條源線;
讀出放大器,其從所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元讀出所述數(shù)據(jù);以及
寫驅(qū)動(dòng)器,其對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元施加寫入電壓,
所述譯碼器的輸入端子經(jīng)由所述選擇電路以及所述讀出放大器連接于所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元,
所述多路復(fù)用器的輸出端子經(jīng)由所述寫驅(qū)動(dòng)器以及所述選擇電路連接于所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,
所述存儲(chǔ)器單元包含磁阻效應(yīng)元件,所述磁阻效應(yīng)元件是MTJ元件即磁隧道結(jié)元件。
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