[發明專利]一種低鈀化學鍍銅活化劑及制備方法有效
| 申請號: | 201710642278.2 | 申請日: | 2017-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN107460456B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 王亞君;劉江波;章曉冬;童茂軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州天承化工有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/38 | 分類號: | C23C18/38;C23C18/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 215124 江蘇省蘇州市吳中*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學鍍銅 活化劑 低鈀 活化 制備 表面活性劑 電路板通孔 反應加速劑 活化液 硫酸鈀 濃度計 穩定劑 鈀金屬 鍍覆 孔壁 盲孔 配比 吸附 配合 | ||
本發明提供了一種低鈀化學鍍銅活化劑及制備方法。本發明的低鈀化學鍍銅活化劑,按質量濃度計,包含以下物質:0.01~0.03g/L的硫酸鈀;0.005~0.02g/L的反應加速劑;0.001~0.01g/L的表面活性劑;0.001~0.05g/L的穩定劑。本發明通過調整化學鍍銅活化劑的原料及配比,制得的活化液,能夠在水平線設備上既保持活化溶液的穩定性,當Pd2+質量濃度為0.01~0.03g/L時,可在孔壁上正常吸附鈀金屬,并實現正常的活化反應速度,配合后續的化學鍍銅工序,可靠地完成對電路板通孔、盲孔的完整功能性化學鍍銅鍍覆。
技術領域
本發明屬于化學鍍銅技術領域,涉及一種低鈀化學鍍銅活化劑及制備方法。
背景技術
PCB(Printed Circuit Board),中文名稱為印制電路板,又稱印刷線路板,是重要的電子部件,是電子元器件的支撐體,是電子元器件電氣連接的載體。由于它是采用電子印刷術制作的,故被稱為“印刷”電路板。
在印制電路板的生產流程中,非金屬材料上進行通孔化學鍍銅的關鍵就是必須在通孔非金屬材料上先沉積一層具有催化活性的金屬原子,例如Pd、Ag、Au、Pt等貴金屬,化學鍍銅在非金屬材料上的沉積首先以具催化活性的金屬原子為核心開始,當整個非金屬材料表面鍍覆了很薄的一層金屬銅的時候,化學鍍可以因為自動催化作用,使銅化學沉積的反應不斷進行下去,因此可以獲得一定厚度的化學鍍銅功能鍍層。
在印制電路板行業,最常應用的催化貴金屬是鈀,一般采用離子鈀或者膠體鈀溶液處理通孔,在非金屬材料的通孔孔壁上吸附的鈀金屬經過后續的還原或者解膠工序,鈀金屬原子附著在孔壁上作為化學鍍銅溶液金屬銅開始沉積的催化劑。
CN103866303A公開了一種用于微孔填充的化學鍍銅溶液及其制備方法,1L該化學鍍銅溶液由下述質量配比的原料組成,五水硫酸銅5~20g/L,EDTA10~30g/L,乙醛酸5~20g/L,加速劑0.0005~0.002g/L,抑制劑0.001~0.02g/L,NaOH1.5~3.5g/L,蒸餾水添加至該化學鍍銅溶液的體積為1L。本發明通過在化學鍍銅溶液中添加加速劑,快速實現了微孔的無空洞、無縫隙、完美的化學鍍銅填充,且化學鍍銅溶液穩定,沉積銅膜質量好。
為了保證活化效果,現有技術中化學鍍銅時通常需保持Pd2+的質量濃度在0.2g/L以上,才能正常吸附鈀金屬作為催化劑完成后續的沉銅,這給化學鍍銅帶來成本方面的壓力,且化學鍍銅后的材料品質特別是背光能力有待進一步提高。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的目的之一在于提供一種低鈀化學鍍銅活化劑,當Pd2+濃度為0.01~0.03g/L時,可在孔壁上正常吸附鈀金屬,減少了活化時間,并實現正常的活化反應速度,配合后續的化學鍍銅工序,可靠地完成對電路板通孔、盲孔的完整功能性化學鍍銅鍍覆,使鍍銅后基材的背光等級達9級以上。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種低鈀化學鍍銅活化劑,按質量濃度計,包含以下物質:
本發明所述的低鈀是指通孔化學鍍銅時通常需保持Pd2+的質量濃度在0.2g/L以下,尤其指Pd2+的質量濃度在0.1g/L以下,特別指Pd2+的質量濃度在0.05g/L以下,也就是每1L的活化劑溶液中Pd2+的質量在0.05g以下,即可在非金屬材料的孔壁上吸附鈀金屬作為催化劑完成后續的沉銅。
本發明通過調整化學鍍銅活化劑的原料及配比,制得的活化液,能夠在水平線設備上既保持活化溶液的穩定性,又提升了活化反應速度,配合后續的化學鍍銅工序,可靠地完成對電路板通孔、盲孔的完整功能性化學鍍銅鍍覆。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





