[發(fā)明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710640506.2
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN107393933B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋振;王國英
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發(fā)明公開了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在襯底基板上形成有源層；在有源層上依次形成第一柵絕緣圖形和柵極圖形；在柵極圖形上依次形成層間絕緣層和源漏極圖形；其中，第一柵絕緣圖形的上表面形成有凸起結(jié)構(gòu)，柵極圖形的下表面形成有與凸起結(jié)構(gòu)形狀匹配的凹槽結(jié)構(gòu)，柵極圖形在襯底基板上的正投影覆蓋第一柵絕緣圖形在襯底基板上的正投影。本發(fā)明通過柵極圖形在襯底基板上的正投影覆蓋第一柵絕緣圖形在襯底基板上的正投影，有效的提高了TFT的開態(tài)電流。本發(fā)明用于顯示面板中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)

氧化物半導(dǎo)材料因其載流子遷移率高、制備溫度低、電學(xué)均勻性好、對可見光透光和成本低等優(yōu)勢，被認為是最適合驅(qū)動有機發(fā)光二極管(英文：Organic Light-EmittingDiode；簡稱：OLED)的薄膜晶體管(英文：Thin-film transistor；簡稱：TFT)的半導(dǎo)體有源材料之一，采用氧化物半導(dǎo)體制成的TFT稱為氧化物TFT，目前氧化物TFT已廣泛地應(yīng)用在OLED顯示面板中。

由于頂柵型TFT寄生效應(yīng)較少，因此目前大部分氧化物TFT均是頂柵型TFT，其中，寄生效應(yīng)是指TFT中的柵極與源漏極之間形成寄生電容的現(xiàn)象。例如，請參考圖1-1，圖1-1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板可以包括：襯底基板01、遮擋層02、緩沖層03、有源層04、柵絕緣圖形05、柵極圖形06、層間絕緣層07和源漏極圖形08，該有源層04可被分為柵控區(qū)域041、輕摻雜漏極(英文：Lightly Doped Drain；簡稱：LDD)區(qū)域042和導(dǎo)體化區(qū)043，其中，有源層04中柵極圖形06在有源層04上的正投影的區(qū)域為柵控區(qū)域041，有源層04中未被柵絕緣圖形05在有源層04上的正投影覆蓋的區(qū)域為導(dǎo)體化區(qū)域043，有源層04中導(dǎo)體化區(qū)域043與柵控區(qū)域041之間的區(qū)域為LDD區(qū)域042。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

如圖1所示，由于受到制造工藝的影響，柵絕緣圖形05和柵極圖形06在有源層04上的正投影面積依次減小，導(dǎo)致LDD區(qū)域042的寬度d01增大，因此寄生電阻較大，進而導(dǎo)致TFT的開態(tài)電流較小。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的TFT的開態(tài)電流較小問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成有源層；

在所述有源層上依次形成第一柵絕緣圖形和柵極圖形；

在所述柵極圖形上依次形成層間絕緣層和源漏極圖形；

其中，所述第一柵絕緣圖形的上表面形成有凸起結(jié)構(gòu)，所述柵極圖形的下表面形成有與所述凸起結(jié)構(gòu)形狀匹配的凹槽結(jié)構(gòu)，所述柵極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影。

可選的，所述在所述有源層上依次形成第一柵絕緣圖形和柵極圖形，包括：

在所述有源層上形成柵絕緣層薄膜；

對所述柵絕緣層薄膜執(zhí)行一次構(gòu)圖工藝，以形成第二柵絕緣圖形；

在所述第二柵絕緣圖形上形成柵極薄膜；

對所述柵極薄膜和所述第二柵絕緣圖形執(zhí)行一次構(gòu)圖工藝，以形成所述柵極圖形和所述第一柵絕緣圖形；

其中，所述第二柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，所述有源層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影。