[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201710640506.2
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN107393933B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 宋振;王國英
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上形成有源層；

在所述有源層上依次形成第一柵絕緣圖形和柵極圖形；

在所述柵極圖形上依次形成層間絕緣層和源漏極圖形；

其中，所述第一柵絕緣圖形的上表面形成有凸起結構，所述柵極圖形的下表面形成有與所述凸起結構形狀匹配的凹槽結構，所述柵極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影；

所述在所述有源層上依次形成第一柵絕緣圖形和柵極圖形，包括：

在所述有源層上形成柵絕緣層薄膜；

在所述柵絕緣層薄膜上涂覆第一光刻膠；

通過柵極掩膜版對所述第一光刻膠進行第一曝光處理和第一顯影處理，以形成第一光刻膠圖形；

對所述柵絕緣層薄膜進行第一刻蝕處理，以形成帶有所述第一光刻膠圖形的第二柵絕緣圖形；

剝離所述第一光刻膠圖形，得到所述第二柵絕緣圖形；

在所述第二柵絕緣圖形上形成柵極薄膜；

在所述柵極薄膜上涂覆第二光刻膠；

通過所述柵極掩膜版對所述第二光刻膠進行第二曝光處理和第二顯影處理，以形成第二光刻膠圖形；

對所述柵極薄膜和所述第二柵絕緣圖形進行第二刻蝕處理，以形成帶有所述第二光刻膠圖形的柵極圖形和所述第一柵絕緣圖形；

剝離所述第二光刻膠圖形，得到所述柵極圖形和所述第一柵絕緣圖形；

其中，所述第一光刻膠和所述第二光刻膠均為正性光刻膠，所述第一曝光處理的曝光強度大于所述第二曝光處理的曝光強度以使所述第一光刻膠圖形的寬度小于所述第二光刻膠圖形的寬度；

或，所述第一光刻膠和所述第二光刻膠均為負性光刻膠，所述第一曝光處理的曝光強度小于所述第二曝光處理的曝光強度以使所述第一光刻膠圖形的寬度小于所述第二光刻膠圖形的寬度；

其中，所述第二柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，所述有源層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蝕處理包括：兩次刻蝕處理，

所述對所述柵極薄膜和所述第二柵絕緣圖形進行第二刻蝕處理，以形成帶有所述第二光刻膠圖形的柵極圖形和所述第一柵絕緣圖形，包括：

對所述柵極薄膜進行一次刻蝕處理，以形成帶有所述第二光刻膠圖形的柵極圖形；

對所述第二柵絕緣圖形進行一次刻蝕處理，以形成所述第一柵絕緣圖形。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成有源層之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上依次形成遮擋層和緩沖層。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是通過權利要求1至3任一所述的陣列基板的制造方法制備而成，所述陣列基板包括：

襯底基板；

在所述襯底基板上依次設置有源層、第一柵絕緣圖形、柵極圖形、層間絕緣層和源漏極圖形；

其中，所述第一柵絕緣圖形的上表面設置有凸起結構，所述柵極圖形的下表面設置有與所述凸起結構形狀匹配的凹槽結構，所述柵極圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一柵絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

在所述襯底基板上依次設置的遮擋層和緩沖層。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括：權利要求4至6任一所述的陣列基板。