[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 201710636452.2
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107665842A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 樸素永;金俙煥
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 趙丹,趙莎

技術領域

本文所描述的發明構思的實施例涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

通常，通過以薄膜形式在基板上沉積各種材料、并在沉積的材料上形成圖案來制造半導體器件。為達到此目的，需要幾個階段的不同工藝，例如沉積工藝、感光工藝、刻蝕工藝和清洗工藝。

在這些工藝中，刻蝕工藝是將形成在基板上的薄膜移除的工藝，清洗工藝是在執行用于制造半導體器件的單元工藝之后將殘留在基板表面的污染物移除的工藝。刻蝕工藝和清洗工藝根據工藝執行方法被分類成濕式和干式，濕式被分類成間歇式和旋轉式。

在旋轉式中，將基板固定到可處理一個基板的卡盤構件后，在旋轉基板的同時通過噴嘴向基板供應化學品或去離子水，并利用離心力將化學品或去離子水散布在基板的整個表面，從而清洗基板。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種可以有效處理基板的基板處理裝置和基板處理方法。

本發明構思的實施例還提供了一種可以均勻處理基板內部和外圍的基板處理裝置和基板處理方法。

本發明構思的實施例還提供了一種可以減少處理基板所消耗的化學品的量的基板處理裝置和基板處理方法。

本發明構思的目的不僅限于以上所描述的目的。通過以下描述，本發明構思所屬領域的技術人員可以清楚地了解未提及的其它技術目的。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種基板處理裝置，包括：旋轉頭，配置為支撐基板；杯狀物，圍繞旋轉頭的外周；第一噴射構件，具有第一噴嘴，該第一噴嘴用于向位于旋轉頭上的基板排放第一化學品；以及第二噴射構件，具有第二噴嘴，該第二噴嘴用于向位于旋轉頭上的基板排放與第一化學品具有相同化學組分的第二化學品。

第一噴嘴可以在位于基板的旋轉中心上方時排放第一化學品。

第一噴嘴可以在基板的一半半徑以內的區域上移動時排放第一化學品。

第一噴嘴可以經過基板旋轉中心的上方。

第二噴嘴可以在位于基板的一半半徑外周的區域上時排放第二化學品。

第二噴嘴可以在與基板的一半半徑相對應的區域和基板的外端之間移動時排放第二化學品。

第二化學品的濃度高于第一化學品的濃度。

第二化學品的溫度高于第一化學品的溫度。

基板處理裝置還可以包括箱。第一噴嘴可以通過第一管線連接到箱。第二噴嘴可以通過第二管線連接到箱。

加熱器位于第二管線上。

基板處理裝置還可以包括輔助箱，該輔助箱可以通過輔助管線連接到第一管線。

基板處理裝置還可以包括第一箱和第二箱，第一噴嘴可以通過第一管線連接到第一箱，第二噴嘴可以通過第二管線連接到第二箱。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種基板處理方法，包括：將基板置于旋轉頭上；通過第一噴嘴排放第一化學品，同時通過第二噴嘴排放與第一化學品具有相同化學組分的第二化學品。

第一噴嘴可以向基板的一半半徑以內的區域排放第一化學品，第二噴嘴可以向基板的一半半徑外圍的區域排放第二化學品。

第一噴嘴可以在停駐于基板旋轉中心上方時排放第一化學品，第二噴嘴可以在停駐于與基板的一半半徑外圍的區域相對應的一點處時排放第二化學品。

第一噴嘴可以在基板的一半半徑以內的區域上移動時排放第一化學品，第二噴嘴可以在停駐于與基板的一半半徑外圍的區域相對應的一點處時排放第二化學品。

第二化學品的濃度可以高于第一化學品的濃度。

第二化學品的溫度可以高于第一化學品的溫度。

附圖說明

通過以下參照下面附圖的描述，以上和其它的目的和特征將變得顯而易見，其中，除非另有規定，各附圖中相同的附圖標記指代相同的部件，其中：

圖1為示出了根據本發明構思的基板處理系統的平面圖；

圖2為示出了設置在一個或多個工藝腔室中的基板處理裝置的示例的剖面圖；

圖3為示出了第一噴射構件和第二噴射構件向基板供應化學品的狀態的示意圖；

圖4為示出了連接到第一噴嘴和第二噴嘴的管線的配置的示意圖；

圖5為示出了根據第二實施例的連接到第一噴嘴和第二噴嘴的管線的配置的示意圖；

圖6為示出了根據第三實施例的連接到第一噴嘴和第二噴嘴的管線的配置的示意圖；和

圖7為示出了根據第四實施例的連接到第一噴嘴和第二噴嘴的管線的配置的示意圖。

具體實施方式