[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 201710636452.2
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107665842A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 樸素永;金俙煥
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 趙丹,趙莎

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

旋轉頭，配置為支撐基板；

杯狀物，圍繞所述旋轉頭的外周；

第一噴射構件，具有第一噴嘴，所述第一噴嘴配置為向位于所述旋轉頭上的基板排放第一化學品；和

第二噴射構件，具有第二噴嘴，所述第二噴嘴配置為向位于所述旋轉頭上的基板排放與所述第一化學品具有相同化學組分的第二化學品。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第一噴嘴在位于所述基板的旋轉中心上方時排放所述第一化學品。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第一噴嘴在所述基板的一半半徑以內的區域上移動時排放所述第一化學品。

4.根據權利要3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第一噴嘴經過所述基板的旋轉中心的上方。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第二噴嘴在位于所述基板的一半半徑外圍的區域上時排放所述第二化學品。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第二噴嘴在與所述基板的一半半徑相對應的區域和所述基板的外端之間移動時，排放所述第二化學品。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第二化學品的濃度高于所述第一化學品的濃度。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第二化學品的溫度高于所述第一化學品的溫度。

9.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板處理裝置還包括：

箱，

其中，所述第一噴嘴通過第一管線連接到所述箱，以及

其中，所述第二噴嘴通過第二管線連接到所述箱。

10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第二管線上設置有加熱器。

11.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板處理裝置還包括：

輔助箱，

其中，所述輔助箱通過輔助管線連接到所述第一管線。

12.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述基板處理裝置還包括：

第一箱和第二箱，

其中，所述第一噴嘴通過第一管線連接到所述第一箱，以及

其中，所述第二噴嘴通過第二管線連接到所述第二箱。

13.一種基板處理方法，其特征在于，包括：

將基板置于旋轉頭上；以及

通過第一噴嘴排放第一化學品，同時通過第二噴嘴排放與所述第一化學品具有相同化學組分的第二化學品。

14.根據權利要求13所述的基板處理方法，其特征在于，所述第一噴嘴向所述基板的一半半徑以內的區域排放所述第一化學品，且所述第二噴嘴向所述基板的一半半徑外圍的區域排放所述第二化學品。

15.根據權利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，所述第一噴嘴在停駐于所述基板的旋轉中心上方時排放所述第一化學品，且所述第二噴嘴在停駐于與所述基板的一半半徑外圍的區域相對應的一點處時排放所述第二化學品。

16.根據權利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，所述第一噴嘴在所述基板的一半半徑以內的區域上移動時排放所述第一化學品，以及所述第二噴嘴在停駐于與所述基板的一半半徑外圍的區域相對應的一點處時排放所述第二化學品。

17.根據權利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，所述第二化學品的濃度高于所述第一化學品的濃度。

18.根據權利要求14所述的基板處理方法，其特征在于，所述第二化學品的溫度高于所述第一化學品的溫度。