[發(fā)明專利]一種用于光電催化產(chǎn)氫ZnO?CuO?FeOOH復(fù)合薄膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710635710.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107638881A | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉志鋒;魯雪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津城建大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J23/80 | 分類號(hào): | B01J23/80;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300384 *** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 光電 催化 zno cuo feooh 復(fù)合 薄膜 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于光電催化產(chǎn)氫ZnO-CuO-FeOOH復(fù)合薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
為實(shí)現(xiàn)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展,氫能因其清潔環(huán)保、易儲(chǔ)存等優(yōu)點(diǎn),作為下一代能源被發(fā)展,旨在解決迫在眉睫的能源問題和環(huán)境問題。值得注意的是,光電催化分解水產(chǎn)生氫氣是產(chǎn)氫的優(yōu)選途徑。太陽能取之不盡用之不竭,已經(jīng)成為廣泛研究加以利用的能源對(duì)象。半導(dǎo)體催化材料吸收太陽光子能量,發(fā)生光生電子躍遷,到達(dá)半導(dǎo)體材料表面與水接觸,開始分解水反應(yīng)產(chǎn)生氫氣。氫氣作為能源被使用后產(chǎn)物是唯一的水,這一過程實(shí)現(xiàn)無污染物的太陽能與水的利用。因此利用半導(dǎo)體材料進(jìn)行光電催化產(chǎn)氫成為研究熱點(diǎn)。
半導(dǎo)體材料必須同時(shí)滿足三個(gè)關(guān)鍵因素才能實(shí)現(xiàn)有效的光電催化產(chǎn)氫:(1)廣泛的光響應(yīng)和吸收范圍,充分利用太陽能;(2)有效的光生電子-空穴對(duì)的分離和運(yùn)輸;(3)高的半導(dǎo)體材料耐用性。自1972年半導(dǎo)體材料TiO2被用作光電催化產(chǎn)氫材料研究開始,ZnO由于與TiO2性質(zhì)特點(diǎn)相似,被用作TiO2的替代物而廣泛研究。ZnO的禁帶寬度約為3.2eV,其對(duì)太陽光的吸收利用僅限于紫外光,電子躍遷所需能量較大,光生電子-空穴對(duì)易復(fù)合。因此有必要對(duì)其進(jìn)行針對(duì)性的改性來提升其光電催化產(chǎn)氫性能。CuO禁帶寬度約為1.7eV,能夠?qū)崿F(xiàn)很好的可見光吸收,因此可以用它來改性ZnO對(duì)太陽光的吸收利用性能。FeOOH因其水鐵礦的空穴捕獲和儲(chǔ)存能力可以促進(jìn)光生電子-空穴對(duì)的分離和運(yùn)輸。因此可以用它來改性ZnO光生電子-空穴對(duì)易復(fù)合性能。
目前對(duì)于ZnO改性研究主要以構(gòu)筑異質(zhì)結(jié)為主,針對(duì)ZnO不同性能功能層改性研究較少,有關(guān)ZnO-CuO-FeOOH三元功能層體系的光電催化產(chǎn)氫報(bào)道則相對(duì)較少。因此目前關(guān)于ZnO-CuO-FeOOH三元功能層體系的光電催化產(chǎn)氫是一個(gè)值得探討且具有很大潛力的研究課題。
發(fā)明內(nèi)容
為了針對(duì)改進(jìn)ZnO的性能,進(jìn)一步加強(qiáng)ZnO光電催化產(chǎn)氫的可利用性,本發(fā)明提出了用于光電催化產(chǎn)氫的三元功能層ZnO-CuO-FeOOH薄膜的制備方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:
一種用于光電催化產(chǎn)氫ZnO-CuO-FeOOH復(fù)合薄膜的制備方法,包括如下步驟:
步驟一:制備ZnO薄膜
(1)配制ZnO溶膠;
(2)采用浸漬提拉法制備ZnO種子層;
(3)采用水熱法生長(zhǎng)ZnO納米棒薄膜;
步驟二:制備ZnO-CuO薄膜
(1)采用電沉積法在ZnO薄膜上制備CuO薄膜;
(2)將(1)中的CuO薄膜經(jīng)過熱氧化制得ZnO-CuO薄膜;
步驟三:制備ZnO-CuO-FeOOH薄膜
(1)采用電沉積法在ZnO-CuO薄膜上制備FeOOH薄膜;
(2)將(1)中制備的FeOOH薄膜經(jīng)過熱氧化制得ZnO-CuO-FeOOH薄膜。
進(jìn)一步的,所述步驟一中的(1)的工藝參數(shù)為:
①配置0.3-0.5mol·L-1的ZnO溶膠:將3-11g醋酸鋅加入到50-100mL乙二醇甲醚中,45-55℃磁力攪拌20-30min,然后滴加2-6mL液體單質(zhì)單乙醇胺,繼續(xù)攪拌1.5-2h后得到淺黃色透明溶液,即為ZnO溶膠;
②將①中所述的ZnO溶膠靜置6-8天,得到淺黃色透明ZnO凝膠。
進(jìn)一步的,所述步驟一中的(2)的工藝參數(shù)為:
將所述步驟一的(1)中制得的ZnO溶膠采用浸漬提拉法制備ZnO種子層,然后以2℃/min升溫至200℃保溫30min,然后繼續(xù)升溫至450℃保溫1-2h得到ZnO種子層。
進(jìn)一步的,所述步驟一中的(3)的工藝參數(shù)為:將所述步驟一中(2)制備的ZnO種子層采用水熱法在生長(zhǎng)溶液中,90-100℃條件下反應(yīng)3-4h,80-90℃烘干得到ZnO納米棒薄膜。
進(jìn)一步的,所述生長(zhǎng)溶液是硝酸鋅和六次甲基四胺的混合液,所述混合液的濃度為0.04-0.05mol·L-1,所述硝酸鋅和所述六次甲基四胺的摩爾比為1:1。
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