[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制備方法

有效

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• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107689391B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林欣樺;高逸群
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一個(gè)薄膜晶體管，每一個(gè)薄膜晶體管包括通道層、形成于通道層上間隔設(shè)置的源極和漏極；所述源極、所述漏極與所述通道層之間設(shè)置有歐姆接觸層，所述歐姆接觸層和所述通道層的材質(zhì)均為含鋅的金屬氧化物；所述歐姆接觸層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比高于65％，所述通道層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比低于35％。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管基板的制備方法。本發(fā)明的薄膜晶體管基板的歐姆接觸層和通道層均包括包含鋅原子的金屬氧化物，能夠減小通道層與源、漏極之間的電阻，使得通道層與源、漏極之間能夠具有良好的電性連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板以及薄膜晶體管基板的制備方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)作為開關(guān)組件已被廣泛應(yīng)用于傳感器、顯示或觸控等領(lǐng)域。薄膜晶體管基板通常具有基底及形成于該基底上的多個(gè)薄膜晶體管，薄膜晶體管一般包括通道層和形成在通道層上的互相分離源極、漏極，而減少通道層與源極、漏極之間的電阻，使得通道層與源極、漏極之間能夠具有良好的電性連接，增進(jìn)顯示品質(zhì)，為目前業(yè)界亟需解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，有必要提供一種性能較好的薄膜晶體管基板。

一種薄膜晶體管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一個(gè)薄膜晶體管，每一個(gè)薄膜晶體管包括通道層、形成于通道層上間隔設(shè)置的源極和漏極；所述源極、所述漏極與所述通道層之間設(shè)置有歐姆接觸層，

所述歐姆接觸層和所述通道層的材質(zhì)均為含鋅的金屬氧化物；

所述歐姆接觸層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比高于65％，所述通道層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比低于35％。

一種薄膜晶體管基板的制備方法：

提供一基板；

在所述基板上依次形成通道層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層和所述通道層均包括含鋅的金屬氧化物；所述歐姆接觸層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比高于65％，所述通道層的鋅原子個(gè)數(shù)含量百分比低于35％；

在歐姆接觸層上形成導(dǎo)電層；

部分蝕刻導(dǎo)電層與歐姆接觸層形成貫穿所述導(dǎo)電層與所述歐姆接觸層的溝槽，在歐姆接觸層上形成間隔設(shè)置的源極和漏極。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管基板的歐姆接觸層和通道層均包括包含鋅原子的金屬氧化物，能夠減小通道層與源、漏極之間的電阻，使得通道層與源、漏極之間能夠具有良好的電性連接，增進(jìn)顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2沿III-III剖面線剖開的剖面結(jié)構(gòu)示意圖(第一實(shí)施例薄膜晶體管的剖面)。

圖4是圖3的IV部分通過電子顯微鏡獲得的微觀放大圖。

圖5是圖3的V部分通過電子顯微鏡獲得的微觀放大圖。

圖6是圖2沿VI-VI剖面線剖開的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8～圖11是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的薄膜晶體管基板的制備方法的剖面示意圖。

主要元件符號說明

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式