[發明專利]薄膜晶體管基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201710633182.X
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107689391B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 林欣樺;高逸群
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞

1.一種薄膜晶體管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一個薄膜晶體管，每一個薄膜晶體管包括通道層、形成于通道層上間隔設置的源極和漏極；所述源極與所述通道層之間以及所述漏極與所述通道層之間均設置有歐姆接觸層，其特征在于：

所述歐姆接觸層和所述通道層的材質均為含鋅的金屬氧化物；

所述歐姆接觸層包括氧化銦鋅，所述歐姆接觸層的鋅原子個數含量百分比高于65％，所述通道層的鋅原子個數含量百分比低于35％。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述源極和漏極中至少一者延伸與所述通道層直接接觸。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述源極和所述漏極之間形成有一溝槽以使所述源極和所述漏極得以間隔設置，該溝槽延伸貫穿所述歐姆接觸層；沿所述溝槽的開口端至所述溝槽的槽底方向，所述溝槽逐漸變細。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述歐姆接觸層與所述源極之間和所述歐姆接觸層與所述漏極之間還包括一阻擋層，所述阻擋層用于防止所述源極、漏極的材料向所述歐姆接觸層擴散，所述溝槽貫穿所述阻擋層。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道層還包括銦原子，所述通道層的銦原子的個數含量與鋅原子的個數含量比為100％～200％。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述通道層包括銦鋅鎵氧化物。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于：所述歐姆接觸層的銦原子的個數含量與鋅原子的個數含量比為45％～70％。

8.一種薄膜晶體管基板的制備方法：

提供一基板；

在所述基板上依次形成通道層和歐姆接觸層，所述歐姆接觸層和所述通道層均包括含鋅的金屬氧化物；所述歐姆接觸層包括氧化銦鋅，所述歐姆接觸層的鋅原子個數含量百分比高于65％，所述通道層的鋅原子個數含量百分比低于35％；

在歐姆接觸層上形成導電層；

部分蝕刻導電層與歐姆接觸層形成貫穿所述導電層與所述歐姆接觸層的溝槽，在歐姆接觸層上形成間隔設置的源極和漏極。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于：所述歐姆接觸層和所述通道層均含有銦原子，所述歐姆接觸層的銦原子的個數含量與鋅原子的個數含量比為45％～70％；所述通道層的銦原子的個數含量與鋅原子的個數含量比為100％～200％。

10.如權利要求8所述的薄膜晶體管基板的制備方法，其特征在于：在形成歐姆接觸層之后形成第二導電層之前，形成一阻擋層；并在蝕刻第二導電層與歐姆接觸層時一并蝕刻所述阻擋層形成溝槽。