[發(fā)明專利]導(dǎo)線的制造方法和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710632725.6 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN107221497B | 公開(公告)日: | 2020-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁賢林;陳軍;陳啟程;張明 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)線 制造 方法 顯示 面板 | ||
1.一種導(dǎo)線的制造方法,其特征在于,所述導(dǎo)線為用于實現(xiàn)顯示功能的導(dǎo)線,或者用于實現(xiàn)觸控功能的導(dǎo)線,所述方法包括:
在襯底結(jié)構(gòu)上形成過渡層,所述過渡層的材料包括透明導(dǎo)電材料;
在形成有所述過渡層的襯底結(jié)構(gòu)上形成金屬層;
在形成有所述金屬層的襯底結(jié)構(gòu)上形成第一光刻膠圖案;
以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述金屬層進行刻蝕,形成金屬導(dǎo)線;
在形成有所述金屬導(dǎo)線和所述第一光刻膠圖案的襯底結(jié)構(gòu)上形成用于作為像素電極圖案的掩膜的第二光刻膠圖案;
以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕,形成過渡線和所述像素電極圖案,所述過渡線和所述金屬導(dǎo)線構(gòu)成所述導(dǎo)線;
其中,所述第一光刻膠圖案由正性光刻膠構(gòu)成,所述第二光刻膠圖案由負(fù)性光刻膠構(gòu)成,或者,所述第一光刻膠圖案由負(fù)性光刻膠構(gòu)成,所述第二光刻膠圖案由負(fù)性光刻膠或正性光刻膠構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述金屬導(dǎo)線和所述第一光刻膠圖案的襯底結(jié)構(gòu)上形成用于作為像素電極圖案的掩膜的第二光刻膠圖案,包括:
在形成有所述金屬導(dǎo)線和所述第一光刻膠圖案的襯底結(jié)構(gòu)上涂布第二光刻膠層;
通過曝光和顯影使所述第二光刻膠層轉(zhuǎn)變?yōu)樗龅诙饪棠z圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕,形成所述過渡線和所述像素電極圖案之后,所述方法還包括:
去除所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述透明導(dǎo)電材料包括多晶硅氧化銦錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕,形成所述過渡線和所述像素電極圖案,包括:
以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜,通過多晶硅氧化銦錫刻蝕液對所述過渡層進行刻蝕,形成所述過渡線和所述像素電極圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述金屬層進行刻蝕,形成金屬導(dǎo)線,包括:
以所述第一光刻膠圖案為掩膜,通過金屬刻蝕液對所述金屬層進行刻蝕,形成金屬導(dǎo)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕,形成過渡線和所述像素電極圖案之后,所述方法還包括:
去除所述第一光刻膠圖案。
8.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括權(quán)利要求1-5任一所述方法制造的導(dǎo)線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





