[發(fā)明專利]靜電吸盤及修理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710629425.2 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN107680930B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李濬豪;金南出;劉載碩 | 申請(專利權)人: | 韓國艾科科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 修理 方法 | ||
本發(fā)明一個實施例的靜電吸盤可包括:下部板,以從上部面向垂直方向貫通上述上部面的方式在指定的位置形成有多個銷孔,在外周形成有距離上述上部面有指定深度的高度差部;以及上部板,與上述下部板的上述上部面緊固結合,包括平板部、側面部及銷孔保護部,上述平板部與上述下部板的上述上部面相結合,上述側面部與上述高度差部相結合,上述銷孔保護部緊固結合于上述銷孔內,電極以圍住的結構形成在上述上部板。
技術領域
本發(fā)明涉及半導體制造裝置,更詳細地,涉及靜電吸盤及修理方法。
背景技術
為了制造半導體元件或平板顯示裝置,在使真空腔室內的基板支撐臺吸附支撐基板的狀態(tài)下執(zhí)行多種工序。
作為一例,基板支撐臺可以為靜電吸盤(ESC,Electrostatic Chuck)。靜電吸盤為利用靜電力來在腔室內的下部電極支撐基板的裝置。
通常,靜電吸盤可包括基座、與基座固定結合的板及形成于板內部的電極(下部電極)。在板的上部面可放置基板。
在下部電極產生靜電來一定地維持基板和下部電極之間的間隔,使基板固定為水平狀態(tài)來執(zhí)行所需要的工序。
板可分為上部板及下部板。在上部板上安放處理對象物、即、基板,隨著對于處理對象物的工序的反復進行,例如,上部板因持續(xù)施加有如高頻等離子等的外力而可被損傷。此外,因多種原因,上部板上可產生凹陷或裂痕。
由此,被損傷的上部板可通過研磨成規(guī)定厚度等的方式進行修理。但是,下部電極至上部板表面的厚度需要確保規(guī)格上規(guī)定的厚度,從而,修理次數受限。
如上所述,隨著靜電吸盤的使用次數增加,可產生如裂痕等的缺陷,這種缺陷主要產生在對等離子的露出嚴重的上部板側。同時,通過在上部板側產生的裂痕,等離子可向下部電極滲透。在這種狀態(tài)下,若進行工序,則可發(fā)生嚴重的問題,只能廢棄處理產生缺陷的靜電吸盤。
靜電吸盤的制作成本極高,但因如上所述的缺陷發(fā)生等而有靜電吸盤的壽命短至3-6個月左右的問題。
另一方面,在靜電吸盤存在供升降銷升降的升降銷孔,上述升降銷用于使處理對象物在上部板上升降。隨著反復進行對處理對象物的工序,升降銷孔也會被蝕刻損傷。進而,通過升降銷孔內部漏出的下部板和上部板之間的粘結劑受到等離子的損傷而形成粒子(particle),這種粒子對處理對象物進行污染來減少處理對象物的制造產率。
發(fā)明內容
本發(fā)明一個實施例的靜電吸盤包括:下部板,以從上部面向垂直方向貫通上述上部面的方式在指定的位置形成有多個銷孔,在外周形成有距離上述上部面有指定深度的高度差部;以及上部板,緊固結合于上述下部板的上述上部面,包括平板部、側面部及銷孔保護部,上述平板部結合于上述下部板的上述上部面,上述側面部結合于上述高度差部,上述銷孔保護部緊固結合于上述銷孔內,電極以圍住的結構形成在上述上部板。
本發(fā)明另一實施例的靜電吸盤包括:下部板,以從上部面向垂直方向貫通上述上部面的方式在指定的位置形成有多個銷孔;以及上部板,包括平板部、側面部及銷孔保護部,上述平板部緊固結合于上述下部板的上述上部面,與上述下部板的上述上部面相對應,上述側面部結合于上述下部板的外周,上述銷孔保護部緊固結合于上述銷孔內合,電極以圍住的結構形成于上述上部板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓國艾科科技有限公司,未經韓國艾科科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710629425.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種魚眼特征自動測量方法
- 下一篇:車輛用控制裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





