[發明專利]靜電吸盤及修理方法有效
| 申請號: | 201710629425.2 | 申請日: | 2017-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN107680930B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 李濬豪;金南出;劉載碩 | 申請(專利權)人: | 韓國艾科科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 修理 方法 | ||
1.一種靜電吸盤,包括:
下部板,以從上部面向垂直方向貫通上述上部面的方式在指定的位置形成有多個銷孔,在外周形成有距離上述上部面有指定深度的高度差部;以及
上部板,結合于上述下部板上,包括平板部、側面部及銷孔保護部,上述平板部結合于上述下部板的上述上部面,上述側面部結合于上述高度差部,上述銷孔保護部緊固結合于上述銷孔內,電極以圍住的結構形成在上述上部板,
上述上部板和上述下部板分別由包括無機材料的陶瓷材料形成。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中,上述側面部從上述平板部的外周向垂直方向延伸而成,具有與上述高度差部的深度相對應的長度。
3.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中,上述銷孔保護部在與上述銷孔形成對應部位從上述平板部向垂直方向延伸,形成為能夠覆蓋上述下部板與上述上部板之間的邊界面的長度。
4.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中,上述電極通過選自熱壓法、格林片法、壓縮成型法、燒結法中的方式來以圍住的結構形成在上述上部板內。
5.一種靜電吸盤的修理方法,包括:
提供修理對象靜電吸盤的步驟,上述修理對象靜電吸盤包括下部板、上部板以及在上述下部板與上部板之間形成的第一電極,以貫通上述下部板、上述第一電極及上述上部板的方式形成有多個銷孔;
去除上述上部板及上述第一電極來形成修理用下部板的步驟;
通過擴大形成于上述修理用下部板的上述銷孔的口徑來形成擴大的銷孔的步驟;
制造修理用上部板的步驟,上述修理用上部板包括用于緊固結合于上述下部板上部面的平板部和用于緊固結合于上述擴大的銷孔內的銷孔保護部,形成有第二電極;以及
以使上述銷孔保護部緊固結合于上述擴大的銷孔內的方式使上述修理用下部板和上述修理用上部板相結合的步驟,
上述修理用上部板和上述修理用下部板分別由包括無機材料的陶瓷材料形成。
6.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,
在上述形成修理用下部板的步驟中,還包括在上述修理用下部板的外周形成距離上述上部面有指定深度的高度差部的步驟,
在上述制造修理用上部板的步驟中,還包括形成從上述平板部的外周垂直延伸而用于緊固結合于上述高度差部的側面部的步驟。
7.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,上述銷孔保護部形成為能夠覆蓋上述下部板與上述上部板之間的邊界面的長度。
8.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,
在上述形成修理用下部板的步驟中,還包括以指定的寬度去除上述修理用下部板的邊緣的步驟,
在上述形成修理用上部板的步驟中,還包括形成以包住上述修理用下部板的外周全體的方式緊固結合的側面部的步驟。
9.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,在上述形成修理用上部板的步驟中,還包括通過選自熱壓法、格林片法、壓縮成型法、燒結法中的方式來形成上述第二電極的步驟。
10.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,上述第二電極以圍住的結構形成在上述上部板內。
11.根據權利要求5所述的靜電吸盤的修理方法,其中,上述第二電極形成為位于上述上部板底部面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





