[發明專利]集成電路以及其制作方法

在審

• 申請號: 201710628490.3
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN109309085A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 邱久容;林宏展;陳禹鈞
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/04;H01L29/92
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種集成電路，包括：

第一絕緣層，其中一第一溝槽貫穿該第一絕緣層；

底板，部分設置于該第一絕緣層上且部分設置于該第一溝槽中；

第一圖案化介電層，設置于該底板上，其中至少部分的該第一圖案化介電層設置于該第一溝槽中；

中板，設置于該第一圖案化介電層上，其中至少部分的該中板設置于該第一溝槽中，且該底板、該第一圖案化介電層以及該中板構成一第一金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容器；

第二圖案化介電層，設置于該中板上；以及

上板，設置于該第二圖案化介電層上，其中該中板、該第二圖案化介電層以及該上板構成一第二金屬-絕緣層-金屬電容器，且該底板與該上板電連接。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中該上板于該第一絕緣層的一厚度方向上的投影面積小于該中板于該第一絕緣層的該厚度方向上的投影面積。

3.如權利要求1所述的集成電路，其中該中板部分設置于該第一絕緣層上且部分設置于該第一溝槽中，且該第二圖案化介電層設置于該第一溝槽之外。

4.如權利要求1所述的集成電路，還包括：

第二溝槽，貫穿該第一絕緣層，其中部分的該底板、部分的該第一圖案化介電層以及部分的該中板設置于該第二溝槽中。

5.如權利要求1所述的集成電路，其中至少部分的該第二圖案化介電層以及至少部分的該上板設置于該第一溝槽中。

6.如權利要求1所述的集成電路，還包括：

導電層，設置于該第一絕緣層之下，其中該第一溝槽設置于該導電層上，且位于該第一溝槽內的該底板與該導電層電連接。

7.如權利要求6所述的集成電路，還包括：

第二絕緣層，設置于該第一絕緣層與該上板上；

第三溝槽，貫穿該第二絕緣層且暴露出部分的該上板；

第四溝槽，貫穿該第二絕緣層以及該第一絕緣層并暴露出部分的該導電層；以及

第一連接結構，設置于該第三溝槽以及該第四溝槽中，其中該底板通過該導電層以及該第一連接結構而與該上板電連接。

8.如權利要求7所述的集成電路，還包括：

第二連接結構，設置于該中板上且與該中板電連接，其中該第二連接結構與該第一連接結構電性分離。

9.如權利要求1所述的集成電路，其中該第一溝槽被該底板、該第一圖案化介電層以及該中板填滿。

10.如權利要求1所述的集成電路，其中該第一溝槽被該底板、該第一圖案化介電層、該中板、該第二圖案化介電層以及該上板填滿。

11.一種集成電路的制作方法，包括：

形成一第一溝槽貫穿一第一絕緣層；

形成一底板，該底板部分形成于該第一絕緣層上且部分形成于該第一溝槽中；

在該底板上形成一第一圖案化介電層，其中至少部分的該第一圖案化介電層形成于該第一溝槽中；

在該第一圖案化介電層上形成一中板，其中至少部分的該中板形成于該第一溝槽中，且該底板、該第一圖案化介電層以及該中板形成一第一金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容器；

在該中板上形成一第二圖案化介電層；以及

在該第二圖案化介電層上形成一上板，其中該中板、該第二圖案化介電層以及該上板形成一第二金屬-絕緣層-金屬電容器，且該底板與該上板電連接。