[發明專利]一種硅片批量中轉裝置在審
| 申請號: | 201710625983.1 | 申請日: | 2017-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN107634024A | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 張學強;戴軍;張建偉;賈宇鵬 | 申請(專利權)人: | 羅博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369 | 代理人: | 韓飛 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 批量 中轉 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池硅片工藝處理設備,特別涉及一種硅片批量中轉裝置。
背景技術
一般來講,太陽能電池硅片工藝處理步驟包括以下個步驟:1、制絨,將硅片表面腐蝕成金字塔狀的形貌;2、擴散,硅片表面形成PN結;3、刻蝕,將硅片邊緣的PN結去掉,防止電池短路;4、去PSG,清洗硅片表面,去除二氧化硅層;5、PECVD,在硅片表面鍍一層減反射膜;6、印刷燒結,印刷電極及背場,并烘干燒結。在上述工藝處理步驟中,需要在處理前將硅片從硅片花籃中插入到石英舟中(插片步驟),或者在處理完后再將硅片從石英舟中取出放入硅片花籃中(取片步驟)。
在現有技術中,插片/取片步驟多為人工作業,自動化程度低,單次能夠中轉的硅片數量有限,此外還容易導致在中轉過程中由于硅片的支撐不足從而對硅片造成破壞,工作效率低下,提高了生產成本,有鑒于此,實有必要開發一種硅片批量中轉裝置,用以解決上述問題。
發明內容
針對現有技術中存在的不足之處,本發明的目的是提供一種硅片批量中轉裝置,其在提高硅片中轉效率同時,還能夠防止硅片在轉移過程中受到污染及損壞,降低生產成本,提高生產效率。
為了實現根據本發明的上述目的和其他優點,提供了一種硅片批量中轉裝置,包括:
花籃切換機構;以及硅片頂升機構,
其中,花籃切換機構包括傳送組件以及設于該傳送組件上的兩組硅片花籃,兩組所述硅片花籃在傳送組件的驅動下交替地作往復直線運動。
優選的是,花籃切換機構的左右兩端分別設有左初始工位、右初始工位、以及設于所述左初始工位與右初始工位之間的中轉工位,硅片頂升機構(2)設于所述中轉工位處并使得花籃切換機構從其內部穿過。
優選的是,硅片頂升機構包括:
設于傳送組件旁側的至少一組頂升組件;以及
設于所述頂升組件正上方的硅片置中組件,
其中,所述頂升組件包括驅動部、支座、設于該支座上的豎直導軌、以及與該豎直導軌配接的頂升架,所述頂升架在所述驅動部的驅動下沿所述豎直導軌在豎直平面內升降。
優選的是,兩組所述硅片花籃在水平面內交替地作往復直線運動,當所述頂升架位于最低處時,所述頂升組件位于所述硅片花籃的運動平面之下。
優選的是,硅片置中組件包括:
支架;以及
設于支架中的至少一組置中部,
其中,所述置中部包括由前驅動氣缸驅動的前置中片、以及由后驅動氣缸驅動的后置中片,前置中片及后置中片相互平行且間隔一定的距離以形成位于兩者之間的置中通道。
優選的是,前置中片及后置中片與所述硅片花籃的運動方向相平行。
優選的是,所述硅片花籃在所述置中部與頂升架之間往復穿梭。
優選的是,前置中片及后置中片的內側均設有若干個用于夾持硅片的硅片夾持槽。
優選的是,傳送組件包括:
兩根并列設置的主傳送導軌;以及
設于主傳送導軌旁側的輔傳送導軌,
其中,主傳送導軌與輔傳送導軌平行且間隔設置,兩根主傳送導軌部分重疊且重疊部分相固接。
優選的是,主傳送導軌及輔傳送導軌上分別設有用于承托所述硅片花籃的主滑塊及輔滑塊,主傳送導軌上設有用于驅動主滑塊往復滑移的驅動器。
本發明與現有技術相比,其有益效果是:
其在提高硅片中轉效率同時,還能夠防止硅片在轉移過程中受到污染及損壞,降低生產成本,提高生產效率。
附圖說明
圖1為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置的立體圖;
圖2為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中花籃切換機構的立體圖;
圖3為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中硅片頂升機構的立體圖;
圖4為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中頂升組件的立體圖;
圖5為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中傳送組件的立體圖;
圖6為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中硅片花籃的正視圖;
圖7為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中硅片花籃的爆炸視圖;
圖8為根據本發明所述的硅片批量中轉裝置中硅片收納組件的立體圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





