[發(fā)明專利]晶圓劃片設備及晶圓劃片方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710625222.6 | 申請日: | 2017-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109309025A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孟珺;張前意 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤華晶微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 劃片設備 切片裝置 劃片 沖洗 沖洗裝置 殘余物 表面縫隙 芯片表面 沖洗液 硅粉 噴灑 申請 種晶 芯片 | ||
1.一種晶圓劃片設備,其特征在于,所述晶圓劃片設備包括:
切片裝置,在相對晶圓運動的過程中,切分晶圓;
沖洗裝置,安裝在所述切片裝置上,跟隨所述切片裝置共同相對晶圓運動,在劃片過程中噴灑沖洗液以對晶圓進行沖洗。
2.根據權利要求1所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述切片裝置在切分晶圓時沿直線行進,所述沖洗裝置噴灑出的沖洗液至少覆蓋所述直線的部分區(qū)域。
3.根據權利要求1所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述沖洗裝置包括給液部和方向調節(jié)部,所述給液部向所述方向調節(jié)部噴灑沖洗液,所述方向調節(jié)部調整所述沖洗液的方向,以使其噴向所述晶圓的正在被切分的區(qū)域。
4.根據權利要求3所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述給液部位于所述方向調節(jié)部上方,所述方向調節(jié)部包括一朝向所述給液部與所述切片裝置的斜面;
所述給液部噴灑出的沖洗液向下噴射在所述斜面,并被所述斜面引導至所述晶圓的正在被切分的區(qū)域。
5.根據權利要求4所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述方向調節(jié)部的斜面為弧形凹面。
6.根據權利要求4所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述方向調節(jié)部設有第一中間部,所述第一中間部設有出液口;其中,所述給液部噴灑出的沖洗液通過所述出液口噴灑至所述斜面。
7.根據權利要求6所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述給液部包括連接部和第二中間部;其中,所述連接部的遠離所述第二中間部的一端設有沖洗液入口,所述第二中間部的遠離所述連接部的一端設有可與所述出液口連通的沖洗液出口,所述沖洗液入口和沖洗液出口由貫通所述連接部和第二中間部的沖洗液通路連通。
8.根據權利要求7所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述沖洗液出口的橫截面面積大于所述出液口的橫截面面積。
9.根據權利要求3所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述沖洗裝置還包括安裝部,所述安裝部設有至少一個貫通的內部通道,所述內部通道的一端用于通入沖洗液,另一端用于連接所述給液部,以向所述給液部提供沖洗液。
10.根據權利要求1所述的晶圓劃片設備,其特征在于,所述切片裝置還包括冷卻液管,用來向所述切片裝置的切割刀具噴灑冷卻液。
11.一種晶圓劃片方法,其特征在于,采用如權利要求1至9任一項所述的晶圓劃片設備,所述方法包括:
切片裝置在其相對晶圓運動的過程中,對晶圓進行切分;
沖洗裝置在劃片過程中噴灑沖洗液以對晶圓進行沖洗;其中所述沖洗裝置跟隨所述切片裝置共同相對晶圓運動。
12.根據權利要求11所述的晶圓劃片方法,其特征在于,所述切片裝置還包括冷卻液管,所述晶圓劃片方法包括:
在切分晶圓和沖洗晶圓的同時,所述冷卻液管向所述切片裝置的切割刀具噴灑冷卻液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





