[發明專利]一種消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法

有效

• 申請號: 201710624823.5
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107460439B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 李資政;高勁松;劉震;王笑夷;楊海貴;劉海;申振峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: C23C14/18
• 分類號: C23C14/18;C23C14/46;C23C14/35
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙) 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)在SiC基底Si改性層的成膜過程中，利用磁控濺射鍍膜技術，設置鍍膜工藝參數：Ar氣體流量40～60sccm、真空室壓強1.8×10^-2Pa～2.0×10^-2Pa、濺射速率射頻電壓1100～1300V、射頻電流800～1200mA，在環狀磁場控制下荷能離子轟擊靶材，在SiC基底上沉積0.8～1.2微米厚度的Si；

(2)停止濺射鍍膜，更改鍍膜工藝參數：Ar氣體流量5～20sccm、真空室壓強4.8×10^-2Pa～5.2×10^-2Pa、濺射速率射頻電壓700～800V、射頻電流700～800mA，在SiC基底上繼續沉積0.8～1.2微米厚度的Si；

(3)重復步驟(1)和步驟(2)5～9次，最終制備出Si改性層。

2.根據權利要求1所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，步驟(1)所述鍍膜工藝參數為：Ar氣體流量50sccm，真空室壓強1.9×10^-2Pa，濺射速率射頻電壓1200V，射頻電流1000mA。

3.根據權利要求2所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，步驟(1)所述Si沉積厚度為1.0微米。

4.根據權利要求1任一項所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，步驟(2)所述鍍膜工藝參數為：Ar氣體流量10sccm，真空室壓強5.0×10^-2Pa，濺射速率射頻電壓750V，射頻電流750mA。

5.根據權利要求4所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，步驟(2)所述Si沉積厚度為1.0微米。

6.根據權利要求1所述的消除大尺寸碳化硅基底硅改性層內應力的方法，其特征在于，步驟(3)所述重復次數為7次。