[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710622059.8
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107799505A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 趙京淳;吉明均;柳翰成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉美華,劉燦強

本申請要求于2016年9月5日提交的第10-2016-0114018號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及一種半導體封裝件，更具體而言，涉及一種制造半導體封裝件的方法。

背景技術

半導體裝置可以是重量相對輕、尺寸相對緊湊、速度相對高和性能相對高的裝置。半導體封裝件可以包括在電子產品中可用的集成電路芯片。通電極(through electrode)(例如，TSV)可以被包括在半導體封裝件中。

發明內容

本發明構思的一個或更多個示例性實施例提供一種具有減少翹曲的特性的半導體封裝件。

根據本發明構思的示例性實施例，一種半導體封裝件包括第一基底和布置在第一基底上方的第一半導體芯片。第二半導體芯片布置在第一半導體芯片的頂表面上方。粘合層在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間。第二基底設置在第二半導體芯片上。第二基底基本覆蓋第二半導體芯片的頂表面。成型層設置在第一基底與第二基底之間。

根據本發明構思的示例性實施例，一種制造半導體封裝件的方法包括在第一基底的頂表面上安裝芯片堆疊件。每個芯片堆疊件包括多個堆疊的半導體芯片和位于半導體芯片之間的粘合層。在第一基底的頂表面上形成成型層。去除成型層的一部分和每個芯片堆疊件的最頂部的芯片的一部分。在每個芯片堆疊件的最頂部的芯片和成型層上形成第二基底。

根據本發明構思的示例性實施例，一種半導體封裝件包括：第一基底；多個半導體芯片，堆疊在第一基底上方，其中，所述多個半導體芯片中的每個半導體芯片具有彼此相同的厚度；粘合層，包括粘合材料，其中，粘合層形成在所述多個半導體芯片中的每相鄰半導體芯片之間，其中，粘合層比所述多個堆疊的半導體芯片的寬度寬，其中，與所述多個半導體芯片中的最頂部的半導體芯片相鄰的粘合材料的第一量和與所述多個半導體芯片中的最底部半導體芯片相鄰的粘合材料的第二量基本相同；以及成型層，形成在粘合層的側表面上。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述發明構思的示例性實施例，發明構思的以上和其它特征將變得更加清楚，在附圖中：

圖1至圖7是示出根據本發明構思的示例性實施例制造半導體封裝件的方法的剖視圖。

圖8至圖9是示出根據本發明構思的示例性實施例的封裝件單元的剖視圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來更詳細地描述本發明構思的示例性實施例。在這方面，本發明構思可具有不同形式并不應被理解為限于在此描述的本發明構思的示例性實施例。

在整個說明書和附圖中，同樣的附圖標記可以始終表示同樣的元件。

第一方向D1可以表示與第一基底100的頂表面垂直的方向(例如，參見圖1至圖7)，第二方向D2可以表示與第一基底100的頂表面平行的方向(例如，參見圖1至圖7)。

圖1至圖7是示出根據本發明構思的示例性實施例的制造半導體封裝件的方法的剖視圖。

參照圖1，可以在載體基底200上形成第一基底100。作為示例，載體粘合層300可以將第一基底100附著到載體基底200。

第一基底100可以包括基體半導體芯片110。例如，第一基底100可以是包括諸如硅的半導體材料的晶圓級半導體基底。基體半導體芯片110可以包括基體電路層114和基體通電極112。可以在基體半導體芯片110的底表面上布置基體電路層114。例如，基體電路層114的上表面可以與基體半導體芯片110的底表面直接接觸。基體電路層114可以包括集成電路。例如，基體電路層114可以包括存儲器電路、邏輯電路或它們的組合。基體通電極112可以在第一方向D1上穿透基體半導體芯片110。基體通電極112可以電連接到基體電路層114。基體半導體芯片110的底表面可以是有源表面。第一基底100可以包括基體半導體芯片110(例如，多個基體半導體芯片110可以被包括在第一基底100中)，然而本發明構思的示例性實施例不限于此。在本發明構思的示例性實施例中，第一基底100不必包括基體半導體芯片110。