[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710622059.8
• 申請日: 2017-07-27
• 公開（公告）號: CN107799505A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 趙京淳;吉明均;柳翰成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉美華,劉燦強

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

第一基底；

第一半導體芯片，布置在第一基底上方；

第二半導體芯片，布置在第一半導體芯片的頂表面上方；

粘合層，位于第一半導體芯片與第二半導體芯片之間；

第二基底，設置在第二半導體芯片上，其中，第二基底基本覆蓋第二半導體芯片的頂表面；以及

成型層，設置在第一基底與第二基底之間。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片具有與第二半導體芯片的厚度基本相同的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第二半導體芯片的頂表面沿著與第二半導體芯片的頂表面平行的方向與成型層的頂表面基本對齊。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，

第一半導體芯片包括穿透第一半導體芯片的通電極，

第一半導體芯片包括面對第一基底的有源表面，

第二半導體芯片包括面對第一半導體芯片的有源表面。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一半導體芯片包括堆疊在第一基底上方的多個第一半導體芯片。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝件，其中，粘合層還設置在所述多個第一半導體芯片中的相鄰的第一半導體芯片之間。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，粘合層具有比第一半導體芯片和第二半導體芯片的寬度大的寬度。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括位于第一半導體芯片與第二半導體芯片之間的凸塊，

其中，凸塊將第二半導體芯片電連接到第一半導體芯片。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一基底包括：

氮化硅層，位于第一基底的底表面上；以及

外部互連端子，位于第一基底的底表面上，其中，外部互連端子電連接到第一半導體芯片。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，第一基底包括基體半導體芯片，基體半導體芯片包括穿透基體半導體芯片的基體通電極，

其中，第一半導體芯片電連接到基體半導體芯片。

11.一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：

在第一基底的頂表面上安裝芯片堆疊件，每個芯片堆疊件包括多個堆疊的半導體芯片和位于半導體芯片之間的粘合層；

在第一基底的頂表面上形成成型層；

去除成型層的一部分和每個芯片堆疊件的最頂部的芯片的一部分；以及

在每個芯片堆疊件的最頂部的芯片和成型層上形成第二基底。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，在去除每個芯片堆疊件的最頂部的芯片的一部分之后，堆疊的半導體芯片中的每個具有基本相同的厚度。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，在去除每個芯片堆疊件的最頂部的芯片的一部分之后，每個最頂部的芯片的頂表面沿著與成型層的頂表面平行的方向與成型層的頂表面基本對齊。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，通過研磨工藝去除成型層的一部分和最頂部的芯片的一部分。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，粘合層具有比半導體芯片的寬度大的寬度。

16.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

第一基底；

多個半導體芯片，堆疊在第一基底上方，其中，所述多個半導體芯片中的每個半導體芯片具有彼此相同的厚度；

粘合層，包括粘合材料，其中，粘合層形成在所述多個半導體芯片中的每相鄰半導體芯片之間，其中，粘合層比所述多個堆疊的半導體芯片的寬度寬，其中，與所述多個半導體芯片中的最頂部的半導體芯片相鄰的粘合材料的第一量和與所述多個半導體芯片中的最底部半導體芯片相鄰的粘合材料的第二量基本相同；以及

成型層，形成在粘合層的側表面上。

17.根據權利要求16所述的半導體封裝件，其中，與所述多個半導體芯片中的最頂部的半導體芯片相鄰的粘合材料中的第一熱膨脹系數和與所述多個半導體芯片中的最底部半導體芯片相鄰的粘合材料的第二熱膨脹系數基本相同。