[發明專利]基板處理裝置和噴嘴在審
| 申請號: | 201710620301.8 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN107658244A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 福島剛史;相浦一博;伊藤規宏 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 噴嘴 | ||
技術領域
本發明涉及基板處理裝置和噴嘴。
背景技術
以往,公知有一種通過從配置于晶圓的上方的噴嘴向半導體晶圓等基板供給處理液來對基板進行處理的基板處理裝置(參照例如專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2008-118109號公報
發明內容
發明要解決的問題
在這種基板處理裝置中,存在如下情況:在停止了處理液的噴出之后,為了防止來自噴嘴的液滴,進行使殘留于噴嘴內的處理液的液面后退的處理(以下記載為“后退處理”)。
在此,設想如下情況:為了確認是否恰當地進行了后退處理,想要確認后退處理后的噴嘴內的液面位置。然而,在例如像專利文獻1所記載的噴嘴那樣含有金屬材料等不透明的材料而構成噴嘴的情況下,無法從外部視覺辨認噴嘴內的情形,難以目視確認噴嘴內的液面位置。
實施方式的一方案的目的在于提供一種能夠在停止了處理液的噴出之后確認噴嘴內的液面位置的基板處理裝置和噴嘴。
用于解決問題的方案
實施方式的一方案的基板處理裝置具備基板保持部和噴嘴。基板保持部保持基板。噴嘴向基板供給處理液。另外,噴嘴具備配管部和觀察窗。配管部具有水平部分和從水平部分下垂的下垂部分,從下垂部分的頂端噴出處理液。觀察窗設于配管部的水平部分。
發明的效果
根據實施方式的一方案,能夠在使處理液的噴出停止了之后確認噴嘴內的液面位置。
附圖說明
圖1是表示實施方式的基板處理系統的概略結構的圖。
圖2是表示處理單元的概略結構的圖。
圖3是處理單元的示意俯視圖。
圖4是噴嘴的示意剖視圖。
圖5是圖4所示的H部的示意放大圖。
圖6是從下方觀察H部的圖。
圖7是圖5所示的A-A’線向視剖視圖。
圖8是表示噴嘴臂內部的結構的示意剖視圖。
圖9是圖8所示的B-B’線向視剖視圖。
附圖標記說明
1、基板處理系統;2、輸入輸出站;3、處理站;4、控制裝置;16、處理單元;40、處理流體供給部;45、噴嘴臂;46、臂支承部;60、噴嘴;61、配管部;61a、水平部分;61b、下垂部分;62、觀察窗;63、采光窗;611、第1層;612、第2層;613、第3層。
具體實施方式
以下,參照附圖,詳細地說明本申請所公開的基板處理裝置和噴嘴的實施方式。此外,本發明并不被以下所示的實施方式限定。
另外,以下,列舉處理流體是硫酸和過氧化氫水的混合液即SPM的情況為例來進行說明,但處理流體并不限定于SPM。
圖1是表示本實施方式的基板處理系統的概略結構的圖。以下,為了使位置關系清楚,規定了互相正交的X軸、Y軸及Z軸,將Z軸正方向設為鉛垂朝上方向。
如圖1所示,基板處理系統1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設置。
輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上載置多個承載件C,該多個承載件C以水平狀態收納多張基板、在本實施方式中為半導體晶圓(以下稱作晶圓W)。
輸送部12與承載件載置部11相鄰地設置,在輸送部12的內部具有基板輸送裝置13和交接部14。基板輸送裝置13具有用于保持晶圓W的晶圓保持機構。另外,基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉,使用晶圓保持機構在承載件C與交接部14之間輸送晶圓W。
處理站3與輸送部12相鄰地設置。處理站3包括輸送部15和多個處理單元16。多個處理單元16以排列在輸送部15的兩側的方式設置。
輸送部15在內部具有基板輸送裝置17。基板輸送裝置17具有用于保持晶圓W的晶圓保持機構。另外,基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉,使用晶圓保持機構在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓W。
處理單元16用于對由基板輸送裝置17輸送過來的晶圓W進行預先設定的基板處理。
另外,基板處理系統1包括控制裝置4。控制裝置4例如是計算機,其包括控制部18和存儲部19。在存儲部19中存儲有用于對在基板處理系統1中執行的各種處理進行控制的程序。控制部18通過讀取并執行被存儲在存儲部19的程序來控制基板處理系統1的動作。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





