[發明專利]基板處理裝置和噴嘴在審
| 申請號: | 201710620301.8 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN107658244A | 公開(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發明(設計)人: | 福島剛史;相浦一博;伊藤規宏 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 噴嘴 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置具備保持基板的基板保持部和向所述基板供給處理液的噴嘴,
所述噴嘴具備:
配管部,其具有水平部分和從所述水平部分下垂的下垂部分,該配管部從所述下垂部分的頂端噴出所述處理液;
觀察窗,其設于所述配管部的水平部分。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述配管部構成為,從內側起依次包括由透明或半透明的構件形成的第1層和由不透明的構件形成的第2層,
所述觀察窗是在所述第2層形成的開口部,能夠隔著所述第1層對所述配管部的內部進行視覺辨認。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述配管部具備導入光的采光窗。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述采光窗是在所述第2層形成的多個小孔。
5.根據權利要求2~4中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第2層由具有導電性的樹脂形成。
6.根據權利要求2~5中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第1層在所述下垂部分的頂端部從所述第2層突出。
7.根據權利要求2~4中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第2層由具有導電性的樹脂形成,
所述第1層在所述下垂部分的頂端部從所述第2層突出,
所述配管部構成為在所述第2層的外側還包括由透明或半透明的構件形成的第3層,
所述噴嘴具備密封構件,該密封構件在所述下垂部分的頂端部設于從所述第2層突出來的所述第1層的外側而對所述第2層的端面進行密封。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第3層在所述下垂部分的頂端部從所述第2層突出而覆蓋所述密封構件的至少一部分。
9.根據權利要求7或8所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第1層在所述水平部分的基端部從所述第2層突出而與導電性配管連接,
所述噴嘴具備:
噴嘴臂,其支承所述配管部;
具有導電性的安裝部,其在所述水平部分的基端部設于所述第2層的外側,用于將所述配管部安裝于所述噴嘴臂;
導通構件,其與所述安裝部和所述導電性配管接觸,借助所述安裝部將所述第2層與所述導電性配管電連接。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述觀察窗設于所述水平部分中的包括所述下垂部分側的端部在內的區域。
11.一種噴嘴,向基板供給處理液,其特征在于,
該噴嘴具備:
配管部,其具有水平部分和從所述水平部分下垂的下垂部分,從所述下垂部分的頂端噴出所述處理液;
觀察窗,其設于所述配管部的水平部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





