[發(fā)明專利]光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710616712.X | 申請(qǐng)日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109309104B | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳崧;曹蔚然;楊一行;向超宇;錢磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/28 | 分類號(hào): | H01L27/28;H01L51/50;H01L51/56;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)換 器件 及其 制備 方法 紅外 成像 設(shè)備 | ||
本發(fā)明屬于顯示器件領(lǐng)域,提供了光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備。本發(fā)明提供的光轉(zhuǎn)換的器件,通過將感光部件和發(fā)光部件采取襯底上并列設(shè)置方式進(jìn)行組合,同時(shí)將發(fā)光部件設(shè)置為包括設(shè)置在襯底上的第一電極、設(shè)置在第一電極上的至少兩個(gè)發(fā)光單元以及設(shè)置在相鄰發(fā)光單元之間的載流子生成層,使得發(fā)光部件具有成倍增加的發(fā)光電流效率,從而使器件獲得更高的感光出光效率,同時(shí)由于器件的結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕,因而滿足了器件便攜式成像的要求;并且由于每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝難度低,使得每一個(gè)像素都適合現(xiàn)有的打印制備工藝,降低成本,可實(shí)現(xiàn)大面積的復(fù)制。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示器件領(lǐng)域,尤其涉及一種光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備。
背景技術(shù)
紅外成像技術(shù)已經(jīng)在醫(yī)療、軍事、夜視、衛(wèi)星以及民用等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用,一直是科學(xué)研究的一個(gè)熱點(diǎn)。近幾十年來,科研工作者們提出了可實(shí)現(xiàn)低頻率的紅外光到較高頻的近紅外或者高頻率的可見光轉(zhuǎn)換成像裝置。
通常的紅外-可見轉(zhuǎn)換成像裝置(或者光子能量上轉(zhuǎn)換裝置)是基于硅材料和光電倍增管的裝置,裝置的體積大,當(dāng)其作為可穿戴的夜視裝置時(shí),存在耗電高、便攜性差的缺點(diǎn)。為了改善前述的缺點(diǎn),研究者開始轉(zhuǎn)向于研究基于薄膜的夜視裝置。其中較近期的一項(xiàng)改進(jìn)是將感光和發(fā)光材料整合至一個(gè)像素中并用一個(gè)有增益功能的漏柵晶體管連接感光和發(fā)光部分,形成一個(gè)復(fù)雜的疊層結(jié)構(gòu)。然而,這樣的器件雖具有薄膜厚度、透明和外量子效率較高的特點(diǎn),但由于器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝難度高,實(shí)現(xiàn)較大面積的復(fù)制是十分困難的。
因此,現(xiàn)有的紅外-可見轉(zhuǎn)換成像裝置存在耗電高、便攜性差、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝難度高、生產(chǎn)成本高、難以實(shí)現(xiàn)較大面積的復(fù)制以及難以獲得較高增益的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光轉(zhuǎn)換的器件及其制備方法、紅外成像設(shè)備,旨在解決因此,現(xiàn)有的紅外-可見轉(zhuǎn)換成像裝置存在耗電高、便攜性差、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝難度高、生產(chǎn)成本高、難以實(shí)現(xiàn)較大面積的復(fù)制以及難以獲得較高增益的問題。
本發(fā)明提供了一種光轉(zhuǎn)換的器件,所述器件包括:
襯底;
連接部件;
設(shè)置在所述襯底和所述連接部件之間的且并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
其中,所述感光部件和所述發(fā)光部件通過所述連接部件連接;所述發(fā)光部件包括設(shè)置在所述襯底上的第一電極、設(shè)置在所述第一電極上的至少兩個(gè)發(fā)光單元以及設(shè)置在各相鄰的兩個(gè)發(fā)光單元之間的載流子生成層。
本發(fā)明還提供了一種光轉(zhuǎn)換的器件的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:
在襯底上形成并列設(shè)置的感光部件和發(fā)光部件;
在所述感光部件上表面和所述發(fā)光部件上表面設(shè)置連接部件,使所述感光部件和所述發(fā)光部件通過所述連接部件連接;
其中,所述發(fā)光部件包括第一電極、至少兩個(gè)發(fā)光單元以及設(shè)置在相鄰發(fā)光單元之間的載流子生成層,所述發(fā)光部件的形成步驟如下:
在所述襯底上沉積第一電極;
在所述第一電極上往所述連接部件方向交替沉積發(fā)光單元、載流子生成層發(fā)光單元;
重復(fù)所述交替沉積發(fā)光單元、載流子生成層、發(fā)光單元的步驟,至完成預(yù)定個(gè)數(shù)的發(fā)光單元的沉積。
本發(fā)明還提供了一種紅外成像設(shè)備,所述紅外成像設(shè)備包括如上所述的器件或包括如上所述的制備方法制備的器件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
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- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
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