[發明專利]光轉換的器件及其制備方法、紅外成像設備有效
| 申請號: | 201710616712.X | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109309104B | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 陳崧;曹蔚然;楊一行;向超宇;錢磊 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L51/50;H01L51/56;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 轉換 器件 及其 制備 方法 紅外 成像 設備 | ||
1.一種光轉換的器件,其特征在于,所述器件包括:
襯底;
連接部件;
設置在所述襯底和所述連接部件之間的且并列設置的感光部件和發光部件;
其中,所述感光部件和所述發光部件通過所述連接部件連接;所述發光部件包括設置在所述襯底上的第一電極、疊層設置在所述第一電極上的至少兩個發光單元以及設置在各相鄰的兩個發光單元之間的載流子生成層;
所述感光部件上表面被所述連接部件全部覆蓋,所述發光部件上表面被所述連接部件部分覆蓋;
所述連接部件為包括島狀導體與n型半導體的混合結構,所述島狀導體分布在所述發光部件和所述感光部件上表面,所述島狀導體、所述感光部件上表面和所述發光部件上表面被所述n型半導體覆蓋。
2.如權利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態時,所述感光部件將輸入的非可見光信號轉化為光生電子,所述光生電子通過所述連接部件注入所述發光部件,驅動所述發光部件發出可見光。
3.如權利要求1所述的器件,其特征在于,工作狀態時,所述感光部件將輸入的非可見光信號轉化為光生電子,所述光生電子通過所述連接部件注入所述發光部件,并與注入所述發光部件的空穴復合后使所述發光部件產生光子,驅動所述發光部件發出可見光。
4.如權利要求1-3任一項所述的器件,其特征在于,所述發光單元包括空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層,所述發光層設置在所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層之間,所述發光單元的空穴傳輸層靠近所述第一電極設置,所述電子傳輸層靠近所述連接部件設置。
5.如權利要求4所述的器件,其特征在于,所述載流子生成層為pn結結構,其中n型半導體層與一個發光單元的電子傳輸層相連,p型半導體層與另一發光單元的空穴傳輸層相連。
6.如權利要求1、2、3或5任一項所述的器件,其特征在于,所述發光部件和所述感光部件按一比多的方式并列設置在所述襯底上,并聯連接的多個感光部件通過所述連接部件與多個并聯連接的發光部件連接。
7.如權利要求1、2、3或5任一項所述的器件,其特征在于,所述發光部件和所述感光部件按一比多的方式并列設置在所述襯底上,并聯連接的多個感光部件通過所述連接部件與一發光部件連接。
8.如權利要求1、2、3或5任一項所述的器件,其特征在于,所述器件包括多個感光部件和一個發光部件,并聯連接的多個感光部件通過所述連接部件與一發光部件連接。
9.一種光轉換的器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在襯底上形成并列設置的感光部件和發光部件;
在所述感光部件上表面和所述發光部件上表面設置連接部件,使所述感光部件和所述發光部件通過所述連接部件連接;
所述感光部件上表面被所述連接部件全部覆蓋,所述發光部件上表面被所述連接部件部分覆蓋;
所述連接部件為包括島狀導體與n型半導體的混合結構,所述島狀導體分布在所述發光部件和所述感光部件上表面,所述島狀導體、所述感光部件上表面和所述發光部件上表面被所述n型半導體覆蓋;
其中,所述發光部件包括第一電極、至少兩個發光單元以及設置在相鄰發光單元之間的載流子生成層,所述發光部件的形成步驟如下:
在所述襯底上沉積第一電極;
在所述第一電極上往所述連接部件方向沉積發光單元、載流子生成層、發光單元;
重復所述沉積發光單元、載流子生成層、發光單元的步驟,至完成預定個數的發光單元的沉積。
10.一種紅外成像設備,其特征在于,所述紅外成像設備包括權利要求1-8任一項所述的器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





