[發(fā)明專利]一種硅片激光制絨工藝

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• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109308998A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 李亞哲;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛(wèi);梁效峰;黃志煥;楊玉聰;李麗娟;董文一
• 申請（專利權）人: 天津環(huán)鑫科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/02
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發(fā)明提供一種硅片激光制絨工藝，包括采用玻璃腐蝕液去除擴散后處理的硅片表面的磷、硼硅玻璃；激光雙面制絨：清洗后的硅片使用激光在硅片表面掃描；制絨后清洗：采用酸溶液浸泡清洗，酸溶液清洗后進行兩級溢水清洗并甩干。本發(fā)明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蝕液去除擴散后處理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，為激光制絨做好準備，采用激光制絨工藝，其制作過程簡便快捷；在制絨過程中不會產生有毒氣體，避免了對工人的身體健康和環(huán)境帶來的不利影響；其能大大提升工藝過程的速度，具有很好的產業(yè)化前景；通過激光制絨，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度。

技術領域

本發(fā)明屬于硅片制作技術領域，尤其是涉及一種硅片激光制絨工藝。

背景技術

隨著半導體技術的發(fā)展，對半導體表面鈍化的要求越來越高，作為鈍化材料，應具備良好的電氣性能、可靠性、良好的化學穩(wěn)定性、可操作性以及經濟性。根據(jù)上述要求，半導體鈍化專用玻璃作為一種較為理想的半導體鈍化材料在半導體行業(yè)中開始應用。利用半導體鈍化專用玻璃制作的芯片稱為玻璃鈍化芯片(Glass passivation process Chip)，即GPP芯片。

目前，行業(yè)內GPP芯片所用的硅片制絨采用的方法為干法打砂制絨，使用石英砂經過高速噴出，對硅片表面進行打磨，使得硅片表面粗糙度增大。但是，采用干法打砂工藝制絨具有明顯的缺點是，采用干法打砂制絨的硅片，硅片受力較大，使得硅片容易破碎，且制絨效果不明顯，粗糙度較小，且工藝流程復雜，投入成本較大。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的問題是提供一種硅片激光制絨工藝，應用按一定比例配置的玻璃腐蝕液去除擴散后處理硅片表面的磷、硼硅玻璃，采用激光制絨工藝，其制作過程簡便快捷；在制絨過程中不會產生有毒氣體，避免了對工人的身體健康和環(huán)境帶來的不利影響；通過激光制絨，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度，為后續(xù)硅片玻鈍工藝中保護膠的噴涂提供較大的附著力。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案是：一種硅片激光制絨工藝，包括如下步驟：

1)去除硅片表面擴散后的形成層：采用玻璃腐蝕液去除擴散后處理的硅片表面擴散后的形成層并清洗；

2)激光制絨：清洗后的硅片使用激光器在硅片表面進行全片掃描。

進一步的，步驟2)激光制絨具體步驟為：應用激光器對所述清洗后的硅片的一個表面進行全面掃描，掃描完成后，對硅片另一表面進行全面掃描。

進一步的，步驟1)包括如下步驟：

A.擴散后的硅片浸泡在玻璃腐蝕液中；

B.浸泡后的硅片進行超聲清洗；

C.超聲清洗后的硅片進行水清洗；

D.溢水清洗后的硅片進行硝酸清洗；

E.硝酸清洗后的硅片進行水清洗；

F.溢水清洗后的硅片進行甩干。

進一步的，步驟A中玻璃腐蝕液為按一定比例混合的氫氟酸銨、草酸、硫酸銨、甘油、硫酸鋇和熱純水。

進一步的，一定比例為按照重量比例為20-30％：10-20％：10-20％：0-10％：20-30％：10-20％的比例進行混合進行混合。

進一步的，步驟B中所述的超聲清洗為一次超聲清洗。

進一步的，步驟C中的清洗為一級溢水清洗。

進一步的，步驟E中的水清洗為四級溢水清洗。

進一步的，還包括制絨后清洗：采用酸溶液浸泡清洗，所述酸溶液清洗后進行水清洗并甩干，所述水清洗為兩級溢水清洗。