[發明專利]一種硅片激光制絨工藝在審
| 申請號: | 201710615674.6 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109308998A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 李亞哲;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛;梁效峰;黃志煥;楊玉聰;李麗娟;董文一 | 申請(專利權)人: | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/02 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 硅片表面 制絨 制絨工藝 清洗 硅片 玻璃腐蝕液 后處理 硼硅玻璃 酸溶液 去除 凹凸不平 擴散 比例配置 工藝過程 浸泡清洗 制作過程 產業化 粗糙度 多晶硅 兩級 熔融 甩干 溢水 光滑 掃描 | ||
1.一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:包括如下步驟:
1)去除硅片表面擴散后的形成層:采用玻璃腐蝕液去除擴散后處理的硅片表面擴散后的形成層并清洗;
2)激光制絨:清洗后的硅片使用激光器在硅片表面進行全片掃描。
2.根據權利要求1所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟2)激光制絨具體步驟為:應用激光器對所述清洗后的硅片的一個表面進行全面掃描,掃描完成后,對所述硅片另一表面進行全面掃描。
3.根據權利要求1或2所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟1)包括如下步驟:
A.擴散后的硅片浸泡在所述玻璃腐蝕液中;
B.浸泡后的硅片進行超聲清洗;
C.超聲清洗后的硅片進行水清洗;
D.溢水清洗后的硅片進行硝酸清洗;
E.硝酸清洗后的硅片進行水清洗;
F.溢水清洗后的硅片進行甩干。
4.根據權利要求3所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟A中所述的玻璃腐蝕液為按一定比例混合的氫氟酸銨、草酸、硫酸銨、甘油、硫酸鋇和熱純水。
5.根據權利要求4所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述一定比例為按照重量比例為20-30%:10-20%:10-20%:0-10%:20-30%:10-20%的比例進行混合進行混合。
6.根據權利要求3-5任一項所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟B中所述的超聲清洗為一次超聲清洗。
7.根據權利要求3-6任一項所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟C中的清洗為一級溢水清洗。
8.根據權利要求3-7任一項所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述步驟E中的水清洗為四級溢水清洗。
9.根據權利要求1-8任一項所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:還包括制絨后清洗:采用酸溶液浸泡清洗,所述酸溶液清洗后進行水清洗并甩干,所述水清洗為兩級溢水清洗。
10.根據權利要求9所述的一種硅片激光制絨工藝,其特征在于:所述的酸溶液為氫氟酸溶液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





