[發明專利]一種GPP芯片鍍金方法在審
| 申請號: | 201710615666.1 | 申請日: | 2017-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109309000A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 梁效峰;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛;王鵬;楊玉聰;韓義勝;張慶東;尚杰;丁成 | 申請(專利權)人: | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/288 | 分類號: | H01L21/288 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍鎳 鍍金 鎳層 燒結 表面鍍 結合力 硅層 預處理 表面氧化層 表面原子 使用壽命 電極面 鎳原子 有效地 焊膏 活化 去除 焊接 擴散 | ||
本發明提供一種GPP芯片鍍金方法,包括預處理:去除GPP芯片表面氧化層,使所述GPP芯片表面原子活化;一次鍍鎳:在所述GPP芯片表面鍍一次鎳;鎳燒結:鎳原子向所述GPP芯片內部擴散,鎳層與硅層相互結合;二次鍍鎳:在GPP芯片表面鍍二次鎳;鍍金;在所述GPP芯片表面鍍金。本發明的有益效果是GPP芯片電極面采用一次鍍鎳、燒結、二次鍍鎳以及鍍金的工藝,二次鍍鎳可以有效地增加鎳層與硅層的結合力,鍍金有效的防止鎳層氧化,鍍鎳金可以使GPP芯片與焊膏結合力更強,更有利于后道焊接,可靠性強,GPP芯片的使用壽命長。
技術領域
本發明屬于GPP芯片生產技術領域,尤其是涉及一種GPP芯片鍍金方法。
背景技術
GPP主要應用于LED、充電器、替代酸洗二極管(OJ)、整流橋等領域,隨著LED市場的持續增長,充電器、整流橋市場趨于穩定,近年來,GPP芯片成本的持續降低,GPP將逐漸替代OJ芯片,GPP芯片的市場需求持續呈增長趨勢,在現有技術中,GPP的生產工藝有刀刮法、電泳法、光阻法,技術難度、產品品質依次升高,但整體的技術難度仍然偏低,投資低、上量迅速,隨著市場需求增加,大量作坊式廠家進入,使產品供大于求導致市場進入惡性的降價傾銷模式,GPP芯片的鍍金及測試是GPP芯片生產過程中必不可少的部分,鍍金效果的好壞,將直接影響后道GPP芯片焊接,測試的自動化程度,將影響GPP芯片的生產速率,測試的執行標準和結果,將影響整個芯片的使用可靠性,從而影響GPP芯片的使用壽命。
發明內容
本發明的目的是提供GPP芯片鍍金及測試方法,可靠性強,增加GPP芯片的使用壽命。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:一種GPP芯片鍍金方法,包括以下步驟:
預處理:去除GPP芯片表面氧化層,使所述GPP芯片表面原子活化;
一次鍍鎳:在所述GPP芯片表面鍍一次鎳;
鎳燒結:鎳原子向所述GPP芯片內部擴散,鎳層與硅層相互結合;
二次鍍鎳:在所訴GPP芯片表面鍍二次鎳;
鍍金;在所述GPP芯片表面鍍金;
進一步地,所述一次鍍鎳步驟,是在PH值為7-10的堿性環境下,調節溫度到60-100℃,將GPP芯片浸泡于鍍鎳液中進行一次鍍鎳。
進一步地,所述鎳燒結步驟,在溫度為500-650℃的溫度下對所述GPP芯片進行燒結。
進一步地,所述二次鍍鎳是在PH值為7-10的堿性環境下,調節溫度到60-100℃,將所述GPP芯片浸泡于鍍鎳液中進行二次鍍鎳。
進一步地,所述鍍金步驟,是在酸性條件下,溫度調節到60-100℃,將所述GPP芯片浸泡于鍍金液中進行鍍金。
進一步地,還包括鍍金步驟后的測試步驟,具體為:
根據芯片尺寸,設定電壓值測試條件;
利用測試裝置,根據所述測試條件測試芯片的電學特性;
測試裝置利用脈沖信號對所述芯片進行電性測試,記錄電性數據;
進一步地,所述測試裝置為測試針板,所述測試針板包括測試針和固定測試針的底板,利用所述測試針板測試芯片的電學特性包括:
將測試針按照芯片上印刷的圖形排列成對應形狀并固定在底板上;
測試時將測試針通電,測試芯片的電學特性。
進一步地,還包括測試步驟后的劃片步驟,從P面自動將芯片對準,利用皮秒激光器或飛秒激光器從N面進行劃片,具體包括:
調整載片臺的X,Y方向以及θ角度,利用劃片機上的圖像傳感器從P面將芯片對準,并記錄產品信息;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





