[發明專利]一種GPP芯片鍍金方法

在審

• 申請號: 201710615666.1
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109309000A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 梁效峰;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛;王鵬;楊玉聰;韓義勝;張慶東;尚杰;丁成
• 申請（專利權）人: 天津環鑫科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于，包括以下步驟：

預處理：去除GPP芯片表面氧化層，使所述GPP芯片表面原子活化；

一次鍍鎳：在所述GPP芯片表面鍍一次鎳；

鎳燒結：使鎳原子向所述GPP芯片內部擴散，鎳層與硅層相互結合；

二次鍍鎳：在所述GPP芯片表面鍍二次鎳；

鍍金；在所述GPP芯片表面鍍金。

2.根據權利要求1所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述一次鍍鎳步驟，是在PH值為7-10的堿性環境下，調節溫度到60-100℃，將GPP芯片浸泡于鍍鎳液中進行一次鍍鎳。

3.根據權利要求1或2所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述鎳燒結步驟，在溫度為500-650℃的溫度下對所述GPP芯片進行燒結。

4.根據權利要求3所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述二次鍍鎳是在PH值為7-10的堿性環境下，調節溫度到60-100℃，將所述GPP芯片浸泡于鍍鎳液中進行二次鍍鎳。

5.根據權利要求1-4任一所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述鍍金步驟，是在酸性條件下，溫度調節到60-100℃，將所述GPP芯片浸泡于鍍金液中進行鍍金。

6.根據權利要求1-4任一所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：還包括鍍金步驟后的測試步驟，具體為：

根據芯片尺寸，設定電壓值測試條件；

利用測試裝置，根據所述測試條件測試芯片的電學特性；

測試裝置利用脈沖信號對所述芯片進行電性測試，記錄電性數據。

7.根據權利要求6所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述測試裝置為測試針板，所述測試針板包括測試針和固定測試針的底板，利用所述測試針板測試芯片的電學特性包括：

將測試針按照芯片上印刷的圖形排列成對應形狀并固定在底板上；

測試時將測試針通電，測試芯片的電學特性。

8.根據權利要求6所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：還包括測試步驟后的劃片步驟，從P面自動將芯片對準，利用皮秒激光器或飛秒激光器從N面進行劃片，具體包括：

調整載片臺的X，Y方向以及θ角度，利用劃片機上的圖像傳感器從P面將芯片對準，并記錄產品信息；

根據所述產品信息，讀取預存的劃片參數，利用所述皮秒激光器或飛秒激光器從N面進行劃片。

9.根據權利要求8所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：還包括劃片步驟后的裂片步驟，利用裂片棒對所述GPP芯片進行裂片，所述裂片棒對所述GPP芯片的裂片壓力為5N～10N，所述裂片棒在所述GPP芯片上的裂片速度是80～200mm/s。

10.根據權利要求1所述的一種GPP芯片鍍金方法，其特征在于：所述預處理步驟中，還包括清洗步驟，所述清洗包括：

將去除氧化層后的所述GPP芯片在水槽中進行超聲溢流清洗；

將所述GPP芯片用氫氟酸溶液對表面進行清洗，所述氫氟酸溶液的濃度為2％-10％，浸泡10-30min；

用純水進行清洗。