[發明專利]一種去除電極面氧化層的方法在審
| 申請號： | 201710615664.2 | 申請日： | 2017-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN109308991A | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 梁效峰;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛;王鵬;楊玉聰;韓義勝;王浩;張妍 | 申請（專利權）人： | 天津環鑫科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 氧化層 飽和氟化 電極面 氟化銨 腐蝕液 氫氟酸 銨溶液 硅片 表面氧化層 常溫條件 工藝變量 工藝窗口 硅片表面 機械應力 穩定控制 整體工藝 均一性 破片率 體積比 產能 浸泡 生產 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：包括用氟化銨腐蝕液浸泡硅片，所述氟化銨腐蝕液包括飽和氟化銨溶液和氫氟酸，所述飽和氟化銨溶液與所述氫氟酸的體積比為7:1-12:1。
2.根據權利要求1所述的一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：所述飽和氟化銨溶液與所述氫氟酸的體積比為10:1。
3.根據權利要求1所述的一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的時間為10-30min。
4.根據權利要求1所述的一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的反應溫度為23℃-27℃。
5.根據權利要求1所述的一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的反應溫度為25℃。
6.根據權利要求1所述的一種去除電極面氧化層的方法，其特征在于：還包括用氟化銨腐蝕液浸泡硅片后，先用純水清洗，再用超聲清洗。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
