[發明專利]一種去除電極面氧化層的方法

在審

• 申請號: 201710615664.2
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109308991A
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 梁效峰;王彥君;孫晨光;徐長坡;陳澄;武衛;王鵬;楊玉聰;韓義勝;王浩;張妍
• 申請（專利權）人: 天津環鑫科技發展有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種去除電極面氧化層的方法，包括用氟化銨腐蝕液浸泡硅片，氟化銨腐蝕液包括飽和氟化銨溶液和氫氟酸，飽和氟化銨溶液與氫氟酸的體積比為7:1?12:1。本發明的有益效果是采用化學方法去除硅片表面氧化層，無機械應力，降低硅片破片率；去除表面氧化層的方法整體工藝過程簡潔，設計的工藝變量少，工藝窗口足夠大，方便擴大產能并且便于生產的穩定控制；反應過程中采用常溫條件，便于控制均一性。

技術領域

本發明屬于硅片生產技術領域，尤其是涉及一種去除電極面氧化層的方法。

背景技術

在硅片生產技術中，目前大多數采用物理方法(打砂)或者化學方法來去除電極面的氧化層。

在打砂的過程中，存在如下問題：

1.打砂壓力過大會導致硅片破裂，打砂壓力過小會導致氧化層殘留；

2.打砂壓力還要與鏈速進行匹配，工藝窗口很小。

用化學方法去除電極面氧化層，存在如下問題：

1.通常要結合物理方法，設計的工藝變量較多，工藝過程復雜，并且產能低下，生產穩定性控制困難；

2.破片率高，反應過程的均一性難控制；

發明內容

本發明的目的是提供一種利用化學方法去除硅片電極面氧化層的方法改善現有去除電極面氧化層工藝變量多，工藝窗口小，反應過程均一性差的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種去除電極面氧化層的方法，包括用氟化銨腐蝕液浸泡硅片，所述氟化銨腐蝕液包括飽和氟化銨溶液和氫氟酸，所述飽和氟化銨溶液與所述氫氟酸的體積比為7:1-12:1。

進一步地，所述飽和氟化銨溶液與所述氫氟酸的體積比為10:1。

進一步地，所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的時間為10-30min。

進一步地，所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的反應溫度為23℃-27℃。

進一步地，所述用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的反應溫度為25℃。

進一步地，還包括用氟化銨腐蝕液浸泡硅片后，先用純水清洗，再用超聲清洗。

本發明具有的優點和積極效果是：

1.采用化學方法去除硅片表面氧化層，無機械應力，降低硅片破片率；

2.去除硅片表面氧化層的方法整體工藝過程簡潔，設計的工藝變量少，工藝窗口足夠大，方便擴大產能并且便于生產的穩定控制；

3.采用氟化銨腐蝕液浸泡硅片后先用純水清洗，再用超聲清洗，并且反應過程中采用常溫條件，便于控制均一性。

具體實施方式

實施例1

本實例一種去除電極面氧化層的方法，包括如下步驟：清洗槽內放置氟化銨腐蝕液，其中，氟化銨腐蝕液包括飽和氟化銨溶液和氫氟酸，飽和氟化銨溶液10L,氫氟酸1L,將裝滿GPP硅片的花籃放置到清洗槽中，用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的時間為20s，用氟化銨腐蝕液浸泡硅片的反應溫度為25℃；氟化銨腐蝕液浸泡后的硅片，采用機械手抓取花籃，放置到純水清洗槽內，用純水清洗不少于50s，去除硅片表面殘留的氟化銨腐蝕液，避免將氟化銨腐蝕液帶入到下一道工序；采用純水清洗后的硅片，用機械手抓取花籃放置到超聲清洗槽內，超聲清洗的功率是1.8KW，頻率為40KHz，所有與液體接觸硅片表面都被清洗干凈，不會產生機械磨損或者化學腐蝕。