[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710615546.1
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109309052B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 李浩

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，在所述襯底上的間隔開的第一鰭片和第二鰭片，在所述第一鰭片和所述第二鰭片周圍的溝槽，部分地填充所述溝槽的溝槽絕緣物層，以及覆蓋在所述第一鰭片、所述第二鰭片和所述溝槽絕緣物層上的隔離覆蓋層；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積第一層間電介質(zhì)層，其中，所述第一層間電介質(zhì)層形成在所述隔離覆蓋層上；

對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第一刻蝕以露出所述第一鰭片的頂部；

在露出所述第一鰭片的頂部之后，去除所述第一鰭片的一部分以形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中外延生長第一電極，其中，所述第一電極為第一源極或第一漏極；

對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第二刻蝕以露出所述第二鰭片的頂部；

在露出所述第二鰭片的頂部之后，去除所述第二鰭片的一部分以形成第二凹槽，其中所述第二凹槽與所述第一凹槽隔離開；以及

在所述第二凹槽中外延生長第二電極，其中，所述第二電極為第二源極或第二漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

在外延生長所述第一電極之前，所述方法還包括：對所述第一凹槽進(jìn)行擴(kuò)大處理；

在所述第一凹槽中外延生長第一電極的步驟包括：在被擴(kuò)大處理后的第一凹槽中外延生長第一電極；

在外延生長所述第二電極之前，所述方法還包括：對所述第二凹槽進(jìn)行擴(kuò)大處理；其中，該被擴(kuò)大處理后的第二凹槽與所述第一電極隔離開；

在所述第二凹槽中外延生長第二電極的步驟包括：在被擴(kuò)大處理后的第二凹槽中外延生長第二電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第一刻蝕以露出所述第一鰭片的頂部的步驟包括：以所述隔離覆蓋層作為刻蝕停止層，對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第一刻蝕以露出在所述第一鰭片的頂部上的所述隔離覆蓋層的一部分；以及去除被露出的在所述第一鰭片的頂部上的所述隔離覆蓋層的所述部分以露出所述第一鰭片的頂部；

去除所述第一鰭片的一部分以形成第一凹槽的步驟包括：去除所述第一鰭片的一部分和在所述第一鰭片的該被去除部分的側(cè)壁上的所述隔離覆蓋層的部分以形成第一凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

在對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第二刻蝕之前，所述方法還包括：在外延生長所述第一電極之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積蓋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

對所述第一層間電介質(zhì)層進(jìn)行部分地第二刻蝕以露出所述第二鰭片的頂部的步驟包括：以所述隔離覆蓋層作為刻蝕停止層，對所述第一層間電介質(zhì)層和所述蓋層進(jìn)行部分地第二刻蝕以露出在所述第二鰭片的頂部上的所述隔離覆蓋層的一部分；以及去除被露出的在所述第二鰭片的頂部上的所述隔離覆蓋層的所述部分以露出所述第二鰭片的頂部；

去除所述第二鰭片的一部分以形成第二凹槽的步驟包括：去除所述第二鰭片的一部分和在所述第二鰭片的該被去除部分的側(cè)壁上的所述隔離覆蓋層的部分以形成第二凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一鰭片包括：在所述襯底上的第一半導(dǎo)體鰭片和在所述第一半導(dǎo)體鰭片的表面上的第一絕緣物層；

所述第二鰭片包括：在所述襯底上的第二半導(dǎo)體鰭片和在所述第二半導(dǎo)體鰭片的表面上的第二絕緣物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在外延生長所述第二電極之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成第二層間電介質(zhì)層；

對形成所述第二層間電介質(zhì)層之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行退火處理；以及

對執(zhí)行所述退火處理之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)執(zhí)行平坦化處理。