[發明專利]一種成膜設備

在審

• 申請號: 201710615508.6
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN107345292A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 盧艷
• 申請（專利權）人: 北京芯微諾達科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/54;C23C14/34;C23C14/26;C23C14/30
• 代理公司: 北京高沃律師事務所11569
• 代理人: 王加貴

技術領域

本發明涉及物理氣相沉積技術領域，特別是涉及一種成膜設備。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由待生長的材料源轉移到工件表面上的過程。它的作用是可以使某些有特殊性能(強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等)的微粒噴涂在性能較低的工件上，使得工件具有更好的性能。

等離子體增強化學的氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，能夠在基片上沉積出所期望的薄膜。

常規的成膜設備，均是利用物理氣相沉積或等離子體增強化學的氣相沉積來實現的，一般是通過控制成膜室內的壓力、氣體、溫度和時間來控制在工件上沉積出的膜的厚度和均勻性以及物性。但材料源在長期的生產過程中會逐漸被消耗變薄，且材料源各個位置的消耗程度也不盡相同，這就容易造成在材料源使用了一段時間后，膜層的厚度一致性和均勻性無法得到保證。

發明內容

本發明的目的是提供一種成膜設備，以解決上述現有技術存在的問題，使材料源與工件的間距程序化可調，以保證工件表面膜層的厚度一致性和均勻性。

為實現上述目的，本發明提供了如下方案：

本發明提供了一種成膜設備，包括殼體，所述殼體的內部為成膜室，所述成膜室的上部或下部設有待生長的材料源，所述成膜室的下部或上部設有用于放置工件的工作臺，所述工作臺的內部設有加熱設備，所述工作臺由一直線運動機構驅動上下移動，所述直線運動機構由一控制器控制。

優選地，所述直線運動機構為電動推桿，所述電動推桿的固定端連接所述殼體，所述電動推桿的活動端連接所述工作臺。

優選地，所述直線運動機構包括伺服電機、驅動齒輪和齒條，所述伺服電機設置在所述殼體上，所述驅動齒輪設置在所述伺服電機的驅動軸上，所述齒條設置在所述工作臺上，所述驅動齒輪與所述齒條嚙合。

優選地，所述控制器內預設有控制所述直線運動機構的程序；所述程序包括可設定的參數。

優選地，還包括設置在所述成膜室內部的激光測厚傳感器，所述激光測厚傳感器與所述控制器電連接。

優選地，所述控制器根據所述激光測厚傳感器的檢測數據，控制所述直線運動機構向上或向下移動。

優選地，所述激光測厚傳感器至少為兩個，分別檢測膜層不同部位的厚度。

優選地，所述材料源為靶材或蒸發源，所述靶材連接有濺射源，所述濺射源為微波發生器、射頻發生器或直流電源；所訴蒸發源采用熱蒸發或電子束蒸發。

優選地，所述加熱設備為電阻加熱器或紅外加熱器。

本發明相對于現有技術取得了以下技術效果：本發明通過使用直線運動機構驅動工作臺上下移動，使得成膜設備還可通過控制材料源與工件的間距，以調節沉積所得的膜層的厚度一致性和均勻性。本發明還增加了激光測厚傳感器以實時監測膜層的生長動態，控制器可根據預設的參數調整材料源與工件的間距，進一步提高了膜層物性的可調性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例1成膜設備的結構示意圖；

圖2為本發明實施例2成膜設備的結構示意圖；

其中：1-殼體，2-成膜室，3-靶材，4-濺射源，5-工作臺，6-加熱設備，7-電動推桿，8-控制器，9-激光測厚傳感器，10-伺服電機，11-驅動齒輪，12-齒條，13-蒸發源。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明的目的是提供一種成膜設備，以解決上述現有技術存在的問題，使靶材與工件的間距可調，以保證工件表面膜層的厚度一致性和均勻性。

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。