[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201710614901.3
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN109300838A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 張城龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的柵極結構以及位于相鄰柵極結構之間襯底上的刻蝕停止層，所述刻蝕停止層還延伸至所述柵極結構的側壁上；

形成保護層，所述保護層覆蓋相鄰柵極結構之間的刻蝕停止層，且露出部分所述柵極結構側壁上的刻蝕停止層；

形成所述保護層之后，對露出的所述刻蝕停止層進行減薄處理。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保護層的厚度大于

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保護層的步驟包括：

形成保護材料層，所述保護材料層填充于相鄰柵極結構之間，且覆蓋所述柵極結構；

回刻所述保護材料層，露出部分所述柵極結構側壁上的刻蝕停止層。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述保護層為多晶硅層、底部抗反射層、有機介電層、旋涂碳層或者非晶碳層。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：填充介質層，填充于相鄰柵極結構之間且覆蓋所述柵極結構；

形成保護層的步驟包括：回刻所述填充介質層，露出部分所述柵極結構側壁上的刻蝕停止層，剩余的填充介質層用于作為所述保護層。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕停止層的材料為氮化硅。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，通過等離子體刻蝕或者濕法刻蝕的方式進行所述減薄處理。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：側墻，位于所述柵極結構側壁上；所述刻蝕停止層覆蓋所述側墻；

所述減薄處理還去除所述側墻的部分厚度。

9.如權利要求1或8所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理的刻蝕量在到范圍內。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：

在所述減薄處理之后，形成填充于相鄰柵極結構之間的層間介質層；

在相鄰柵極結構之間形成貫穿所述層間介質層的接觸孔。

11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質層的工藝包括：流體化學氣相沉積。

12.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在所述減薄處理之后，形成層間介質層之前，去除所述保護層。

13.如權利要求12所述的形成方法，其特征在于，通過濕法刻蝕或者灰化的方式去除所述保護層。

14.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的柵極結構以及至少位于相鄰柵極結構之間襯底上的刻蝕停止層；

層間介質層，至少填充于相鄰柵極結構之間，相鄰柵極結構之間的層間介質層遠離所述基底一側的寬度大于相鄰柵極結構之間的層間介質層靠近所述基底一側的寬度。

15.如權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，相鄰柵極結構之間的層間介質層遠離所述基底一側寬度與靠近所述基底一側寬度的差值在到范圍內。

16.如權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，相鄰柵極結構之間的層間介質層朝向所述柵極結構的側壁呈單層階梯狀。

17.如權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，所述刻蝕停止層還延伸至所述層間介質層和至少部分柵極結構之間。