[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201710612363.4 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107658238B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 株根孝太;柏山真人;高橋保夫;西山耕二;原山千穂 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F7/30 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明提供一種基板處理裝置,用處理液對基板進行處理,其中,上述基板處理裝置包括基板保持部、外杯及內杯,上述內杯包括內杯主體及內杯排出口,上述外杯包括外杯主體、外下杯、第一排液口、第一排氣口、第二排液口、第二排氣口及分離間隔壁,且上述基板處理裝置包括:環狀構件,能夠升降;驅動部,使上述環狀構件升降,使上述內杯主體在回收位置和退避位置之間移動。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置,尤其涉及回收處理液的杯(Cup)的技術,上述基板處理裝置向半導體晶片、液晶顯示器用基板、等離子顯示器用基板、有機EL(ElectroLuminescence:電致發光)用基板、FED(Field Emission Display:場致發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、太陽能電池用基板(下面簡稱為基板)供給處理液。
背景技術
一直以來,作為這種裝置,存在包括基板保持部、旋轉驅動機構、第一噴嘴、第二噴嘴、杯體、第一排液管路、第二排液管路、排氣管路及可動杯的基板處理裝置(例如,參照日本特開2014-75575號公報)。
基板保持部將基板保持為水平姿勢。旋轉驅動機構使基板保持部以鉛垂軸為中心旋轉驅動。第一噴嘴供給正型(Positive Tone)顯影用的顯影液。第二噴嘴供給負型(Negative tone)顯影用的顯影液。杯體包圍被基板保持部保持的基板的周圍,回收向基板供給的顯影液。第一排液管路及第二排液管路分別與杯體連通連接。可動杯通過在杯體的內部升降,僅向第一排液管路和第二排液管路中任一排液管路引導顯影液。
在第一噴嘴供給顯影液時,例如,可動杯將顯影液導向第一排液管路,在第二噴嘴供給顯影液時,可動杯將顯影液導向第二排液管路。第一排液管路排出正型顯影用的顯影液,第二排液管路排出負型顯影用的顯影液。此時,排氣管路排出含有顯影液的霧的杯體內的氣體。由此,能夠防止在第一排液管路及第二排液管路中正型顯影用的顯影液和負型顯影用的顯影液混合。在第一噴嘴及第二噴嘴供給顯影液時,排氣管路排出含有顯影液的霧的杯體內的氣體。
但是,在具有這種結構的以往的例子的情況下,存在以下問題。
即,以往的裝置中排氣管路由一個管路構成,因此進行正型顯影處理時和負型顯影處理時這兩種處理時,杯體內的顯影液的霧從相同的排氣管路排出。因此,可能存在一個排氣管路內不同種類的顯影液的霧混合的問題。該結果,很難清潔地保持杯內的環境氣體,很難以優異品質對基板進行處理。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供能夠以優異品質對基板進行處理的基板處理裝置。
本發明為了實現這樣的目的,采用以下的結構。
本發明提供一種基板處理裝置,用處理液對基板進行處理,其中,上述基板處理裝置包括以下的構件:基板保持部,其將基板保持為水平姿勢;旋轉驅動部,其使上述基板保持部以鉛垂軸為中心旋轉;第一處理液供給部,其向被上述基板保持部保持的基板供給第一處理液;第二處理液供給部,其向被上述基板保持部保持的基板供給第二處理液;外杯,其包圍上述基板保持部的側方;以及內杯,其配置在上述基板保持部和上述外杯之間,上述內杯包括:內杯主體,其俯視時呈環狀:以及內杯排出口,其形成于上述內杯主體的下部,向下方排出上述內杯主體內的第一處理液及氣體,上述外杯包括:外杯主體,其俯視時呈環狀;外下杯,其構成上述外杯主體的底部;第一排液口,其形成于上述外下杯的底面,用于排出從上述內杯排出口排出的上述第一處理液;第一排氣口,其形成于上述外下杯,用于排出從上述內杯排出口排出的氣體;第二排液口,其形成于上述外下杯的底面,排出上述外杯主體內的第二處理液;第二排氣口,其形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主體內的氣體;以及分離間隔壁,其俯視時呈環狀地立設在上述外下杯的底面,分離上述第一排液口和上述第二排液口,上述基板處理裝置包括:環狀構件,其俯視時呈環狀,能夠沿上述外杯主體內的外周面升降,以不堵塞上述內杯排出口的方式連結于上述內杯主體;以及驅動部,其使上述環狀構件升降,使上述內杯主體在上述內杯回收處理液的回收位置和上述外杯回收處理液的退避位置之間移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





