[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201710612363.4 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107658238B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 株根孝太;柏山真人;高橋保夫;西山耕二;原山千穂 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F7/30 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,用處理液對基板進行處理,其中,包括:
基板保持部,將基板保持為水平姿勢;
旋轉驅動部,使上述基板保持部以鉛垂軸為中心旋轉;
第一處理液供給部,向被上述基板保持部保持的基板供給第一處理液;
第二處理液供給部,向被上述基板保持部保持的基板供給第二處理液;
外杯,包圍上述基板保持部的側方;以及
內杯,配置在上述基板保持部和上述外杯之間,
上述內杯包括:
內杯主體,俯視時呈環狀:以及
內杯排出口,形成于上述內杯主體的下部,向下方排出上述內杯主體內的第一處理液及氣體,
上述外杯包括:
外杯主體,俯視時呈環狀;
外下杯,構成上述外杯主體的底部;
第一排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出從上述內杯排出口排出的上述第一處理液;
第一排氣口,形成于上述外下杯,用于排出從上述內杯排出口排出的氣體;
第二排液口,形成于上述外下杯的底面,用于排出上述外杯主體內的第二處理液;
第二排氣口,形成于上述外下杯,用于排出上述外杯主體內的氣體;以及
分離間隔壁,俯視時呈環狀地立設在上述外下杯的底面,分離上述第一排液口和上述第二排液口,
上述基板處理裝置包括:
環狀構件,與上述內杯主體分開構成,俯視時呈環狀,能夠沿上述外杯主體內的外周面升降,以不堵塞上述內杯排出口的方式連結于上述內杯主體;以及
驅動部,使上述環狀構件升降,使上述內杯主體在上述內杯回收處理液的回收位置和上述外杯回收處理液的退避位置之間移動,
上述環狀構件在俯視時從中心相互成為等角度的位置關系的多個部位包括與上述內杯主體連結的連結部,
上述連結部從上述環狀構件的外周部向上述內杯主體的內周部沿水平方向延伸。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述內杯主體包括:引導部,將從基板向周圍飛散的第一處理液引向下方;以及間隔壁容納部,倒U狀形成于上述引導部的下部,
上述內杯主體在上述退避位置將上述分離間隔壁容納于上述間隔壁容納部,在上述回收位置僅將上述分離間隔壁的上部容納于上述間隔壁容納部。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述第一排氣口在中空部的頂端形成有開口,上述中空部從上述外下杯的底面向上方延伸。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
包括中杯,上述中杯位于上述分離間隔壁的內周側,
上述中杯的下表面從上述第一排氣口的開口分開,上述中杯的外周面從上述分離間隔壁的內周面分開,上述中杯的外周端從上述外杯主體的底面分開。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述外下杯在底面形成有傾斜面,上述傾斜面在周向上朝向上述第一排液口及上述第二排液口變低地傾斜。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述第一排氣口配置于俯視時從中心相互成為等角度的位置關系的多個部位。
7.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述第二排氣口配置于俯視時從中心相互成為等角度的位置關系的多個部位。
8.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
上述第一排氣口配置于俯視時從中心相互成為等角度的位置關系的多個部位,并且上述第二排氣口配置于俯視時從中心相互成為等角度的位置關系的多個部位。
9.根據權利要求6所述的基板處理裝置,其中,
上述外杯主體包括外側面杯,上述外側面杯構成上述外下杯主體的側面,
各個上述第二排氣口配置于上述外杯主體的外周部,
上述外側面杯在與各個上述第二排氣口對應的位置形成有貫通口,
各個上述第二排氣口包括排氣管,上述排氣管的上端位于比上述貫通口的上部靠近上方的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





